| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·纳米材料 | 第9-11页 |
| 量子尺寸效应 | 第9页 |
| 量子隧道效应 | 第9-10页 |
| 库仑阻塞效应 | 第10页 |
| 小尺寸效应 | 第10页 |
| 表面效应 | 第10-11页 |
| ·硅的基本性质 | 第11页 |
| ·硅纳米线的制备技术 | 第11-16页 |
| ·激光烧蚀法 | 第12页 |
| ·热气相沉积法 | 第12-13页 |
| ·化学气相沉积法 | 第13页 |
| ·模板法 | 第13页 |
| ·溶液法 | 第13-14页 |
| ·化学刻蚀法 | 第14-16页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第16-18页 |
| ·纳米线传感器 | 第16-17页 |
| ·硅纳米线太阳能电池 | 第17页 |
| ·光电器件 | 第17页 |
| ·单电子存储单元 | 第17-18页 |
| ·场效应晶体管 | 第18页 |
| ·光致发光性能 | 第18-19页 |
| ·其它硅纳米材料的研究现状 | 第19-20页 |
| ·硅量子点 | 第19-20页 |
| ·硅纳米管 | 第20页 |
| ·多孔硅 | 第20页 |
| ·本论文选题依据及主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 实验设备与实验原理 | 第22-29页 |
| ·实验研究概述 | 第22页 |
| ·实验试剂与设备 | 第22-24页 |
| ·材料的表征方法 | 第24-26页 |
| ·JSM-6700F型扫面电镜 | 第24-25页 |
| ·荧光光谱仪 | 第25页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第25-26页 |
| ·实验原理 | 第26-29页 |
| 第三章 硅纳米线制备及表征 | 第29-47页 |
| ·实验部分 | 第29页 |
| ·实验过程 | 第29-30页 |
| ·硅片的清洗 | 第29-30页 |
| ·制备过程 | 第30页 |
| ·测试 | 第30页 |
| 实验中的注意事项 | 第30页 |
| ·样品的表征 | 第30-46页 |
| ·HF浓度对硅纳米线的影响 | 第31-33页 |
| ·H_2O_2浓度对硅纳米线阵列的影响 | 第33-37页 |
| ·硅纳米孔洞的制备 | 第37-40页 |
| ·硅纳米线阵列簇状形貌的分析 | 第40-41页 |
| ·腐蚀时间对硅纳米线阵列的影响 | 第41-44页 |
| ·腐蚀温度对硅纳米线阵列的影响 | 第44-45页 |
| ·硝酸银浓度对硅纳米线阵列的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 硅纳米线阵列的光学性质 | 第47-55页 |
| ·硅纳米线的光学反射率 | 第47-48页 |
| ·不同反应条件对桂纳米线阵列发光特性的影响 | 第48-50页 |
| · | 第50-53页 |
| ·HF-H2O2混合溶液中HA浓度对娃纳米线光学反射率的影响 | 第50-51页 |
| ·第二步刻t虫时间对娃纳米线阵列光学反射率的影响 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-58页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64页 |