| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·熔石英材料的理化性质 | 第14-16页 |
| ·亚表面缺陷和杂质的检测、分类与危害 | 第16-24页 |
| ·亚表面结构与 LID 概述 | 第16-18页 |
| ·亚表面划痕 | 第18-22页 |
| ·镀膜元件 | 第22-24页 |
| ·熔石英的使用工序 | 第24-25页 |
| ·论文研究框架 | 第25-27页 |
| 第二章 电磁波时域有限差分方法概述 | 第27-37页 |
| ·三维差分迭代式的导出 | 第27-31页 |
| ·数值稳定性条件 | 第31-33页 |
| ·时间步长的限制 | 第31-32页 |
| ·空间间隔的限制 | 第32-33页 |
| ·平面波的引入 | 第33-34页 |
| ·总场边界条件 | 第34-35页 |
| ·BPML 吸收边界条件 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 亚表面划痕诱导光场增强的近场模拟 | 第37-80页 |
| ·约定 | 第37-38页 |
| ·连续横向划痕 | 第38-43页 |
| ·模型描述 | 第38-39页 |
| ·两类划痕的调制对比 | 第39-40页 |
| ·近场调制的宽深比效应 | 第40-43页 |
| ·镀膜横向划痕 | 第43-48页 |
| ·模型描述 | 第44-45页 |
| ·完好膜系 | 第45-46页 |
| ·非完美膜系 | 第46-48页 |
| ·坑点型断点划痕 (Ⅰ) | 第48-56页 |
| ·模型描述 | 第48-49页 |
| ·坑点深度对调制的影响 | 第49-51页 |
| ·坑点宽度对调制的影响 | 第51页 |
| ·坑点间距对调制的影响 | 第51-54页 |
| ·酸蚀对调制的影响 | 第54-56页 |
| ·坑点型断点划痕 (Ⅱ) | 第56-66页 |
| ·形状对场分布的影响 | 第56-59页 |
| ·相对位置对场分布的影响 | 第59-61页 |
| ·棱角对场分布的影响 | 第61-66页 |
| ·赫兹-锥形划痕 (HCC) | 第66-72页 |
| ·模型描述 | 第66-67页 |
| ·含透明杂质的 HCC | 第67-70页 |
| ·HCC 的酸刻蚀研究 | 第70-72页 |
| ·拖尾的锯齿状划痕 (TIC) | 第72-78页 |
| ·模型描述 | 第73-75页 |
| ·结果和讨论 | 第75-78页 |
| ·小结 | 第78-80页 |
| 第四章 损伤修复坑诱导局域光强增大的数值模拟 | 第80-110页 |
| ·实验条件 | 第80页 |
| ·熔石英表面损伤及修复概述 | 第80-85页 |
| ·含裂纹或气泡高斯坑的近场模拟 | 第85-97页 |
| ·单一高斯坑 | 第87-88页 |
| ·单一裂纹 | 第88-90页 |
| ·单一气泡 | 第90-92页 |
| ·含裂纹高斯坑 | 第92-95页 |
| ·含气泡高斯坑 | 第95-97页 |
| ·多气泡模拟研究 | 第97-102页 |
| ·尺寸和位置对场调制的影响 | 第99-101页 |
| ·气泡数目对场分布的影响 | 第101-102页 |
| ·修复参数对非理想修复坑场分布的影响 | 第102-108页 |
| ·电场分布 | 第105-106页 |
| ·场调制与光斑尺寸的关系 | 第106-107页 |
| ·场调制与激光功率的关系 | 第107-108页 |
| ·小结 | 第108-110页 |
| 第五章 溶胶-凝胶减反射薄膜的污染物研究 | 第110-130页 |
| ·溶胶-凝胶 SiO2薄膜的激光预处理效应 | 第110-116页 |
| ·实验过程 | 第111-112页 |
| ·结果和讨论 | 第112-116页 |
| ·溶胶-凝胶 SiO2膜面颗粒污染物的激光清洗技术 | 第116-122页 |
| ·实验过程 | 第117-118页 |
| ·结果与讨论 | 第118-122页 |
| ·3ω减反射元件表面颗粒污染诱导的光增强模拟 | 第122-128页 |
| ·模型和方法 | 第122-124页 |
| ·光调制与颗粒尺寸的关系 | 第124-127页 |
| ·光调制与颗粒形状的关系 | 第127-128页 |
| ·小结 | 第128-130页 |
| 第六章 有机污染膜厚测试初步研究 | 第130-142页 |
| ·针对聚苯乙烯薄膜的多角度椭偏测试 | 第130-136页 |
| ·有机膜厚的 AFM 测试 | 第136-141页 |
| ·小结 | 第141-142页 |
| 第七章 总结与展望 | 第142-145页 |
| ·全文工作总结 | 第142-144页 |
| ·理论部分 | 第142-143页 |
| ·实验部分 | 第143-144页 |
| ·本论文创新点 | 第144页 |
| ·展望 | 第144-145页 |
| 致谢 | 第145-147页 |
| 参考文献 | 第147-158页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第158-159页 |