| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 序 | 第11-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-52页 |
| ·有机电子学的开启 | 第17-18页 |
| ·有机场效应晶体管(OFET)的发展及应用 | 第18-28页 |
| ·有机场效应晶体管的发展 | 第18-21页 |
| ·有机场效应晶体管的应用 | 第21-28页 |
| ·有机RFID标签 | 第22-26页 |
| ·软性显示技术 | 第26-28页 |
| ·有机场效应晶体管的基本原理 | 第28-40页 |
| ·有机场效应晶体管的工作原理 | 第28-31页 |
| ·MOSFET的工作原理 | 第28-30页 |
| ·OFET的工作原理 | 第30-31页 |
| ·有机场效应晶体管电学性能的模型 | 第31-34页 |
| ·有机场效应晶体管的器件性能参数 | 第34-36页 |
| ·有机半导体的电荷传输机制 | 第36-40页 |
| ·有机场效应晶体管的材料 | 第40-44页 |
| ·有机场效应晶体管的有机半导体材料 | 第40-42页 |
| ·有机场效应晶体管的绝缘层材料 | 第42-43页 |
| ·有机场效应晶体管的电极材料 | 第43-44页 |
| ·高分子有机场效应晶体管的研究 | 第44-49页 |
| ·高分子有机场效应晶体管研究的提出 | 第44-45页 |
| ·高分子有机场效应晶体管物理学的焦点 | 第45-48页 |
| ·高分子场效应晶体管目前存在的问题 | 第48-49页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第49-52页 |
| 第二章 RR-P3HT OFET中高分子半导体薄膜结晶行为及微观结构变化的研究 | 第52-78页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·高分子OFET中高分子半导体薄膜自组织与自组装机制的界定 | 第53-55页 |
| ·同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术的基本原理与实验装置及流程 | 第55-63页 |
| ·GIXRD测量的基本原理 | 第56-57页 |
| ·同步辐射GIXRD研究实验装置及流程 | 第57-63页 |
| ·利用同步辐射GIXRD技术探讨RR-P3HT微观结构及电荷传输机制的研究 | 第63-76页 |
| ·材料体系的选择 | 第63-65页 |
| ·器件的制备及测试 | 第65-68页 |
| ·器件的制备 | 第65-67页 |
| ·器件的测试 | 第67-68页 |
| ·结果与分析 | 第68-76页 |
| ·界面修饰与快慢速生长的微观自组织及其引起二维电荷传输机制的研究 | 第68-74页 |
| ·热退火引起的微观自组织及其引起二维电荷传输机制的研究 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第三章 界面修饰效应提升RR-P3HT OFET器件性能的研究 | 第78-104页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·界面修饰调控自组织机制及其对RR-P3HT OFET器件性能的影响 | 第79-89页 |
| ·器件的制备及测试 | 第80-81页 |
| ·器件的制备 | 第80-81页 |
| ·器件的测试 | 第81页 |
| ·结果与分析 | 第81-89页 |
| ·高分子OFET电学性能分析 | 第81-84页 |
| ·界面修饰SMAs形成的化学及物理机制分析 | 第84-87页 |
| ·器件半导体层微晶粒结晶性与分子排列取向分析 | 第87-89页 |
| ·经界面修饰的RR-P3HT OFET中薄膜形态与电荷传输性能关系的研究 | 第89-101页 |
| ·器件的制备及测试 | 第90-92页 |
| ·器件的制备 | 第90-92页 |
| ·器件的测试 | 第92页 |
| ·结果与分析 | 第92-101页 |
| ·高分子OFET电学性能分析 | 第92-96页 |
| ·器件半导体层微晶粒结晶性与分子排列取向分析 | 第96-97页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第97-101页 |
| ·本章小结 | 第101-104页 |
| 第四章 热退火效应及真空静置作用提升RR-P3HT OFET器件性能的研究 | 第104-122页 |
| ·引言 | 第104-105页 |
| ·热退火及真空静置对快速生长的RR-P3HT OFET器件性能的影响 | 第105-113页 |
| ·器件的制备及测试 | 第105-107页 |
| ·器件的制备 | 第105-107页 |
| ·器件的测试 | 第107页 |
| ·结果与分析 | 第107-113页 |
| ·高分子OFET电学性能分析 | 第107-110页 |
| ·器件半导体层微晶粒结晶性及高分子分子链连接分析 | 第110-112页 |
| ·高分子半导体层薄膜表面形貌分析 | 第112-113页 |
| ·热退火对慢速生长的RR-P3HT OFET器件性能的影响 | 第113-119页 |
| ·器件的制备及测试 | 第113-115页 |
| ·器件的制备 | 第113-115页 |
| ·器件的测试 | 第115页 |
| ·结果与分析 | 第115-119页 |
| ·器件半导体层高分子分子链连接分析 | 第115-116页 |
| ·高分子OFET电学性能分析 | 第116-119页 |
| ·本章小结 | 第119-122页 |
| 第五章 改善低温溶液处理提升RR-P3HT OFET器件性能的研究 | 第122-146页 |
| ·引言 | 第122-123页 |
| ·高分子溶液浓度对RR-P3HT OFET器件性能的影响 | 第123-128页 |
| ·器件的制备与测试 | 第124-125页 |
| ·器件的制备 | 第124-125页 |
| ·器件的测试 | 第125页 |
| ·结果与分析 | 第125-128页 |
| ·高分子OFET电学性能分析 | 第125-127页 |
| ·器件半导体层微晶粒结晶性分析 | 第127页 |
| ·高分子半导体层薄膜表面形貌分析 | 第127-128页 |
| ·高分子与小分子OFET中表面形貌及载流子迁移率的厚度依赖性区别研究 | 第128-137页 |
| ·器件的制备与测试 | 第129-130页 |
| ·器件的制备 | 第129-130页 |
| ·器件的测试 | 第130页 |
| ·结果与分析 | 第130-137页 |
| ·高分子及小分子半导体层薄膜表面形貌分析 | 第130-133页 |
| ·高分子及小分子OFET电学性能分析 | 第133-137页 |
| ·非溶剂掺杂完善自组织机制提升RR-P3HT OFET器件性能的研究 | 第137-144页 |
| ·器件的制备与测试 | 第137-139页 |
| ·器件的制备 | 第137-139页 |
| ·器件的测试 | 第139页 |
| ·结果与分析 | 第139-144页 |
| ·高分子OFET电学性能分析 | 第139-142页 |
| ·器件半导体层微晶粒结晶性分析 | 第142-143页 |
| ·器件半导体层表面形态分析 | 第143-144页 |
| ·本章小结 | 第144-146页 |
| 第六章 结论 | 第146-150页 |
| 参考文献 | 第150-162页 |
| 附录A | 第162-172页 |
| 作者简历 | 第172-178页 |
| 学位论文数据集 | 第178页 |
