| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| ·氮化镓的研究概述 | 第11-18页 |
| ·GaN材料的应用 | 第11-12页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第12-14页 |
| ·GaN的结构特性 | 第12页 |
| ·GaN的电学特性 | 第12-14页 |
| ·GaN的化学特性 | 第14页 |
| ·GaN的光学特性 | 第14页 |
| ·氮化镓薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| ·衬底和缓冲层对GaN薄膜的影响 | 第15-16页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第16页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第16页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第16-17页 |
| ·反应溅射法 | 第17页 |
| ·其他技术 | 第17页 |
| ·纳米晶GaN薄膜的研究现状 | 第17-18页 |
| ·氮化锌的研究概述 | 第18-22页 |
| ·氮化锌材料的性质 | 第18-20页 |
| ·Zn_3N_2的结构性质 | 第18-19页 |
| ·Zn_3N_2的电学性质 | 第19页 |
| ·Zn_3N_2的光学性质 | 第19-20页 |
| ·Zn_3N_2的研究现状 | 第20-22页 |
| ·稀土掺杂半导体材料的研究概述 | 第22-30页 |
| ·稀土元素的基本性质 | 第22-23页 |
| ·稀土掺杂半导体的发光特点 | 第23页 |
| ·稀土掺杂的发光理论 | 第23-28页 |
| ·等电子陷阱 | 第24-26页 |
| ·稀土激发过程与能量转移 | 第26-27页 |
| ·非辐射过程 | 第27页 |
| ·选择定则和稀土离子能级 | 第27-28页 |
| ·稀土掺杂半导体的发展现状 | 第28-30页 |
| ·论文的指导思想和研究内容 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第二章 薄膜的制备及其表征方法 | 第33-49页 |
| ·溅射概述 | 第33-34页 |
| ·溅射的基本原理 | 第34-38页 |
| ·溅射过程与机理 | 第35-38页 |
| ·热蒸发理论 | 第37页 |
| ·动量转移理论 | 第37-38页 |
| ·直流溅射 | 第38-39页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第39-47页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第39-40页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第40-41页 |
| ·椭偏仪(Spectroscopic ellipsometry) | 第41-42页 |
| ·荧光分光光度计(Fluorophotometer) | 第42-43页 |
| ·傅立叶变换红外(FT-IR)光谱 | 第43-44页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第44页 |
| ·紫外-可见(UV-VIS)分光光度计 | 第44-45页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第45-46页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第46页 |
| ·深能级瞬态谱(Q-DLTS) | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 纳米晶GaN薄膜的制备与特性研究 | 第49-71页 |
| ·纳米晶GaN薄膜的制备 | 第50-51页 |
| ·衬底清洗 | 第50页 |
| ·薄膜的沉积 | 第50-51页 |
| ·纳米晶GaN薄膜的结构性质 | 第51-53页 |
| ·X射线衍射谱研究 | 第51-52页 |
| ·薄膜表面形貌的研究 | 第52页 |
| ·Raman散射光谱研究 | 第52-53页 |
| ·椭偏仪测薄膜厚的研究 | 第53-55页 |
| ·纳米晶GaN薄膜的光学性质 | 第55-58页 |
| ·紫外-可见光谱的研究 | 第55-56页 |
| ·光致发光谱的研究 | 第56-58页 |
| ·纳米晶GaN薄膜的电学性质 | 第58-64页 |
| ·电流-电压特性 | 第59-62页 |
| ·深能级瞬态谱 | 第62-64页 |
| ·氨化法制备纳米晶薄膜 | 第64-68页 |
| ·结构性质 | 第64-67页 |
| ·光学性质 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-71页 |
| 第四章 稀土元素Er、Tb原位掺杂纳米晶GaN薄膜的结构和光学特性研究 | 第71-83页 |
| ·稀土原位掺杂纳米晶GaN薄膜的制备 | 第72页 |
| ·稀土元素Er掺杂纳米晶GaN薄膜 | 第72-76页 |
| ·稀土元素Er掺杂纳米晶GaN薄膜的结构特性 | 第73页 |
| ·稀土元素Er掺杂纳米晶GaN薄膜的光学特性 | 第73-76页 |
| ·光学带隙 | 第73-74页 |
| ·纳米晶GaN:Er薄膜的光致发光谱 | 第74-76页 |
| ·稀土元素Tb掺杂纳米晶GaN薄膜 | 第76-81页 |
| ·稀土元素Tb纳米晶GaN薄膜的结构特性 | 第77页 |
| ·X射线衍射谱研究 | 第77页 |
| ·Raman散射光谱研究 | 第77页 |
| ·稀土元素Tb纳米晶GaN薄膜的光学特性 | 第77-81页 |
| ·光学带隙 | 第77-78页 |
| ·光致发光 | 第78-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 稀土元素Tb掺杂氮化锌薄膜的结构和光学特性研究 | 第83-99页 |
| ·薄膜的制备 | 第84页 |
| ·Tb掺杂Zn_3N_2薄膜的结构与成分 | 第84-88页 |
| ·X射线衍射谱研究 | 第84-85页 |
| ·薄膜的SEM形貌研究 | 第85页 |
| ·红外吸收谱研究 | 第85-86页 |
| ·Raman散射谱研究 | 第86-87页 |
| ·X射线光电子能谱研究 | 第87-88页 |
| ·Tb掺杂Zn_3N_2薄膜的光学性质 | 第88-92页 |
| ·薄膜的光学带隙 | 第88-91页 |
| ·薄膜的光致发光特性 | 第91-92页 |
| ·衬底加热对薄膜的影响 | 第92-93页 |
| ·退火后处理对薄膜的影响 | 第93-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第六章 总结与展望 | 第99-103页 |
| ·本论文的主要结论 | 第99-102页 |
| ·下一步工作展望 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-119页 |
| 在学期间的研究成果 | 第119-123页 |
| 致谢 | 第123页 |
