| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-23页 |
| §1.1 硅基发光材料研究的意义 | 第8页 |
| §1.2 硅基发光材料的发展 | 第8-9页 |
| §1.3 纳米材料的光学性质 | 第9-12页 |
| §1.4 半导体纳米材料几种经典的发光模型 | 第12-15页 |
| ·量子限制效应发光模型 | 第12-13页 |
| ·界面层中的激子效应发光模型 | 第13页 |
| ·与氧有关的缺陷发光模型 | 第13-14页 |
| ·量子限制效应-发光中心发光模型 | 第14页 |
| ·直接跃迁发光模型 | 第14-15页 |
| §1.5 掺杂对纳米晶光学性质的影响 | 第15-17页 |
| ·掺杂的用途 | 第15-16页 |
| ·掺杂方法 | 第16-17页 |
| ·中子嬗变掺杂(NTD) | 第17页 |
| §1.6 中子致发光研究及半导体纳米晶材料在中子照相上的应用 | 第17-19页 |
| §1.7 本论文的研究思路和主要内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 2 镶嵌结构Ge纳米晶(nc-Ge)样品的制备 | 第23-32页 |
| §2.1 基片的制备 | 第23-25页 |
| ·硅片的清洗 | 第23页 |
| ·SiO_2薄膜的的制备 | 第23-25页 |
| §2.2 用离子注入法制备Ge-SiO_2混合薄膜 | 第25-28页 |
| ·离子注入法的优势 | 第25-26页 |
| ·实验装置 | 第26-28页 |
| §2.3 用后退火的方法制备镶嵌结构的nc-Ge薄膜 | 第28-29页 |
| §2.4 Ge纳米晶的中子嬗变掺杂 | 第29-31页 |
| ·中子嬗变过程 | 第29-30页 |
| ·中子嬗变掺杂浓度的计算 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 3 镶嵌结构的nc-Ge薄膜的表征 | 第32-47页 |
| §3.1 X射线衍射分析 | 第32-34页 |
| §3.2 XRF分析 | 第34-36页 |
| §3.3 LRS分析 | 第36-38页 |
| §3.4 TEM分析 | 第38-40页 |
| §3.5 SEM分析 | 第40-41页 |
| §3.6 阈值剂量的实验研究 | 第41-42页 |
| §3.7 离子注入直接形成Ge纳米晶机理 | 第42-44页 |
| §3.8 均匀Ge纳米团聚的自组织生长机理 | 第44-45页 |
| §3.9 本章小节 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 4 纳米晶的光学性质以及掺杂对光学性质的影响 | 第47-59页 |
| §4.1 仪器设备 | 第47-48页 |
| §4.2 通过不同条件下的退火研究各个荧光峰的发光机理 | 第48-53页 |
| ·确定激发光源及其激发光波长 | 第48-49页 |
| ·采用先还原后氧化的四步退火来改变Ge氧化物的成分,从而探讨三个荧光峰的归属及发光机制 | 第49-51页 |
| ·采用先氧化后还原来改变Ge氧化物的成分,验证上述结论 | 第51-53页 |
| ·采用不同注量注入形成不同含量纳米晶以证明600nm峰的归属 | 第53页 |
| §4.3 辐照前后样品PL分析 | 第53-55页 |
| §4.4 LE-PL分析 | 第55-56页 |
| §4.5 本章总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 5 总结 | 第59-60页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
