99nm内存的刷新时间的研究及改善

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
第1章 引言	第5-16页
·集成电路概述	第5页
·内存的意义	第5-6页
·动态随机存储器	第6-9页
·动态随机存储器简介	第6页
·动态随机存储器的发展历史	第6-9页
·内存的工作原理	第9-16页
·内存结构和工作原理简介	第9-12页
·内存刷新的简介	第12-14页
·内存控制器	第14-16页
第2章 研究背景及材料制备与分析	第16-22页
·产品背景简介	第16-18页
·论文的研究目标	第18页
·技术线路和实施方案	第18页
·试验原料和试验器材	第18-19页
·实验原料	第18页
·实验设备及器件	第18-19页
·分析测试仪器	第19页
·产品结构	第19-22页
第3章 DRAM电容的提高实现的刷新时间改进	第22-31页
·电容结构分析	第22-24页
·提高电容容量	第24-31页
·增加DT的深度	第24页
·增大DT的尺寸	第24-27页
·改变R1的深度	第27-29页
·提高电介质层的k值	第29-31页
第4章 漏电流及漏电流的降低对刷新时间的改进	第31-42页
·降低漏电流	第31-42页
·DRAM漏电流路径的分析	第31-32页
·降低寄生晶体管的漏电流	第32-34页
·降低CELL CMOS的漏电流	第34-36页
·NODE SIN的改善	第36-38页
·CELL MOS的PN结漏电流	第38-39页
·改进有源区到DT的漏电流	第39-42页
第5章 结论	第42-44页
参考文献	第44-45页
致谢	第45-46页