| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第9-11页 |
| ·SiC表面处理的国内外发展状况 | 第11-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 2 ECR-PEMOCVD系统与表面分析技术 | 第15-34页 |
| ·ECR-PEMOCVD系统 | 第15-19页 |
| ·ECR等离子体产生的原理 | 第15页 |
| ·耦合多极ECR等离子体装置及ECR放电特点 | 第15-19页 |
| ·表面分析技术 | 第19-33页 |
| ·反射式高能电子衍射 | 第20-25页 |
| ·X射线光电子谱 | 第25-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 3 等离子体反应机理及影响因素 | 第34-38页 |
| ·氢等离子体处理反应机理 | 第34页 |
| ·影响等离子体处理效果的因素 | 第34-37页 |
| ·流量和功率 | 第34-37页 |
| ·温度和时间 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 ECR氢等离子体处理SiC(0001)面的效果 | 第38-50页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·氢等离子体处理对表面微结构的影响 | 第38-43页 |
| ·处理时间对表面微结构的影响 | 第38-43页 |
| ·处理温度对表面微结构的影响 | 第43页 |
| ·氢等离子体处理对表面污染物的消除效果 | 第43-46页 |
| ·氢等离子体处理对表面C污染的影响 | 第44页 |
| ·氢等离子体处理对表面O含量的影响 | 第44-46页 |
| ·氢等离子体处理对表面抗氧化性的影响 | 第46页 |
| ·ECR氢等离子体处理对SiC欧姆接触及MOS界面态的影响 | 第46-48页 |
| ·ECR氢等离子体处理对MOS界面态的影响 | 第47页 |
| ·ECR氢等离子体处理对欧姆接触的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |