| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-27页 |
| ·空间相机用碳化硅陶瓷反射镜研究进展 | 第11-15页 |
| ·空间相机反射镜的基本要求及发展过程 | 第11页 |
| ·碳化硅陶瓷反射镜的特点及发展趋势 | 第11-15页 |
| ·CVD SIC 研究进展 | 第15-21页 |
| ·CVD 的工艺原理及沉积机制 | 第15-17页 |
| ·CVD 技术的发展过程 | 第17-18页 |
| ·CVD 的热力学及动力学研究 | 第18-21页 |
| ·工艺参数对CVD SIC 生长特性的影响 | 第21-25页 |
| ·温度对CVD 过程的影响 | 第21-22页 |
| ·稀释气体对CVD 膜层的影响 | 第22-23页 |
| ·工艺压力对CVD 膜层的影响 | 第23-24页 |
| ·气体流量对CVD 膜层的影响 | 第24-25页 |
| ·工艺参数对膜层微观结构及性能的影响 | 第25-27页 |
| 第三章 研究内容及研究方法 | 第27-31页 |
| ·主要研究内容 | 第27-28页 |
| ·实验用原材料体系的选择 | 第28-29页 |
| ·化学气相沉积SiC 所用气源物质 | 第28页 |
| ·基体材料的选择 | 第28-29页 |
| ·CVD 设备及制备过程 | 第29页 |
| ·分析方法 | 第29-31页 |
| ·密度及气孔率测试 | 第29-30页 |
| ·膜层的物相组成及形貌、结构分析 | 第30页 |
| ·膜层热物理性能及力学性能测试 | 第30页 |
| ·碳化硅膜层的光学性能测试 | 第30-31页 |
| 第四章 CVD SIC 膜层生长特性研究 | 第31-37页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验材料及实验内容 | 第31页 |
| ·沉积温度对CVD SIC 膜层沉积速率的影响 | 第31-33页 |
| ·CVD SIC 膜层的微晶尺寸 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 CVD SIC 膜层中缺陷的形成机制及控制 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验材料及实验过程 | 第37页 |
| ·CVD SIC 膜层中缺陷的种类 | 第37-39页 |
| ·CVD SIC 膜层缺陷的形成机制 | 第39-44页 |
| ·膜层中网状缺陷的形成机制 | 第39-40页 |
| ·膜层的开裂 | 第40-41页 |
| ·膜层定向生长机理 | 第41-42页 |
| ·膜层的疏松堆积 | 第42-43页 |
| ·膜层的分层 | 第43-44页 |
| ·膜层的多孔 | 第44页 |
| ·膜层缺陷的控制 | 第44-46页 |
| ·通过降低反应气体流量来减少膜层缺陷 | 第44-45页 |
| ·合适沉积温度的选择 | 第45-46页 |
| ·基体的处理 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 工艺参数对CVD SIC 膜层结构及性能的影响 | 第47-61页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·沉积温度对SIC 膜层沉积形貌和性能的影响 | 第48-51页 |
| ·沉积温度对SiC 膜层的表面形貌和晶粒形貌的影响 | 第48-50页 |
| ·沉积温度对膜层致密性的影响 | 第50-51页 |
| ·反应气体流量对膜层沉积形貌和相组成的影响 | 第51-54页 |
| ·反应气体流量对膜层沉积形貌的影响 | 第51-53页 |
| ·气体流量对膜层相组成和晶粒取向的影响 | 第53-54页 |
| ·H_2/MTS 比对SIC 膜层相组成的影响 | 第54-58页 |
| ·不同基体材料上CVD SIC 膜层的差异 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第七章 大面积CVD SIC 致密膜层制备技术研究 | 第61-71页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·实验 | 第61页 |
| ·导流结构的设计及对膜层厚度均匀性的影响 | 第61-66页 |
| ·沉积位置对相组成的影响 | 第66-68页 |
| ·大面积CVD 致密膜层的制备及性能 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
