| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·射频电子发展历程 | 第9页 |
| ·无线 RFIC 与 MMIC LNA 及其工艺的发展 | 第9-14页 |
| ·无线 RFIC 快速发展动力 | 第9-12页 |
| ·MMIC LNA 研究的学术意义 | 第12-13页 |
| ·SiGe BiCMOS 成为研制MMIC LNA 的主流工艺 | 第13-14页 |
| ·国内外发展动态 | 第14-16页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 SiGe HBT 技术 | 第17-32页 |
| ·SIGE 技术迅猛发展 | 第17-19页 |
| ·SiGe HBT 器件结构 | 第19-20页 |
| ·SiGe HBT 噪声性能 | 第20-26页 |
| ·SiGe HBT 器件的其它性能 | 第26-30页 |
| ·SiGe HBT 直流DC 和射频RF 特性 | 第26-28页 |
| ·SiGe HBT 器件的版图、多维结构和偏置影响 | 第28-30页 |
| ·SIGE技术市场与发展前景 | 第30-32页 |
| 3 低噪声放大器基本理论 | 第32-46页 |
| ·噪声理论分析 | 第32-38页 |
| ·噪声来源与描述 | 第32-34页 |
| ·噪声系数(noise figure) | 第34-36页 |
| ·二端口网络噪声理论 | 第36-38页 |
| ·二端口网络噪声优化 | 第38页 |
| ·S 参数 | 第38-39页 |
| ·低噪声放大器的基本性能指标分析 | 第39-44页 |
| ·增益 | 第39-40页 |
| ·增益平坦度 | 第40页 |
| ·工作带宽 | 第40页 |
| ·输入输出端口阻抗匹配 | 第40-41页 |
| ·稳定性 | 第41-42页 |
| ·动态范围 | 第42页 |
| ·线性度 | 第42-44页 |
| ·低噪声放大器基本拓扑结构分析 | 第44-46页 |
| ·共发射极结构 LNA | 第44页 |
| ·共基极结构 LNA | 第44-45页 |
| ·两级结构双极型 LNA | 第45-46页 |
| 4 低噪声放大器的设计、优化与实现 | 第46-64页 |
| ·LNA 设计技术参数要求 | 第46-47页 |
| ·工艺技术和线路图拓扑结构的选取 | 第47页 |
| ·输入级晶体管的设计 | 第47-48页 |
| ·器件的偏置和键合丝寄生电感 | 第48-50页 |
| ·器件的偏置 | 第48-49页 |
| ·键合丝寄生电感 | 第49-50页 |
| ·RF LNA 性能参数优化设计及结果 | 第50-53页 |
| ·噪声的优化设计 | 第50页 |
| ·LNA 阻抗匹配和稳定性优化设计 | 第50-51页 |
| ·增益带宽优化设计 | 第51-52页 |
| ·键合丝寄生效应影响 | 第52页 |
| ·产品应用时扼流电感影响 | 第52-53页 |
| ·LNA 版图设计及其仿真优化 | 第53-58页 |
| ·Layout 设计 | 第53-55页 |
| ·Layout 后仿真优化设计 | 第55-56页 |
| ·LNA 版图的温度稳定性分析 | 第56-58页 |
| ·RF LNA 的测试 | 第58-64页 |
| ·SiGe HBT LNA 测试技术研究 | 第58-60页 |
| ·本文设计的 LNA 的测试结果与分析 | 第60-64页 |
| 5 总结和展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录：攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第69页 |
