| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 序论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·固体表面 | 第10-11页 |
| ·表面科学研究的主要内容 | 第11-12页 |
| ·薄膜生长表面动力学和生长模式 | 第12-14页 |
| ·常用表面分析方法 | 第14-15页 |
| ·本文的研究目的和内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 实验技术及原理 | 第19-33页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·STM 简史 | 第19-21页 |
| ·STM 工作原理 | 第21-25页 |
| ·电子隧穿原理 | 第21-23页 |
| ·STM 隧道电流理论 | 第23-24页 |
| ·STM 原子分辨率起源 | 第24-25页 |
| ·扫描隧道显微镜的结构 | 第25-28页 |
| ·分子束外延技术 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 Mg 在Si(111)- 7×7 表面的初期吸附 | 第33-52页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·Si(111)- 7×7 表面重构的DAS 模型 | 第34-35页 |
| ·Si(111)- 7×7 表面重构的获得和Mg 的沉积 | 第35-37页 |
| ·Mg 在Si(111)-7×7 表面的初期吸附过程 | 第37-40页 |
| ·Mg 在Si(111)-7×7 表面初期吸附的机理 | 第40-43页 |
| ·Mg 在Si(111)-7×7 表面初期吸附位置的理论预测 | 第40-41页 |
| ·Mg 在Si(111)-7×7 表面初期吸附机理的分析 | 第41-43页 |
| ·原子在Si(111)-7×7 表面的迁移现象 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 Si(111)- 7×7 表面Mg 团簇的STM 研究 | 第52-59页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·二维Mg 团簇的形成 | 第52-55页 |
| ·多晶Mg 的生长 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
