| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| §1.1 质子和物质相互作用的物理机制 | 第11页 |
| §1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第11-14页 |
| §1.3 论文的研究意义 | 第14-15页 |
| §1.4 本文的研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 辐射环境和损伤效应 | 第16-26页 |
| §2.1 空间辐射环境概述 | 第16-18页 |
| §2.2 质子引起的电离效应 | 第18-21页 |
| §2.3 位移损伤效应 | 第21-23页 |
| §2.4 Geant4简介和内核结构 | 第23-25页 |
| 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 空间质子能谱屏蔽分析 | 第26-36页 |
| §3.1 Geant4 shielding程序 | 第26-28页 |
| §3.2 单能质子屏蔽分析 | 第28-31页 |
| §3.3 空间质子能谱屏蔽分析 | 第31-35页 |
| 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 半导体器件损伤模拟 | 第36-53页 |
| §4.1 质子在介质中的运动 | 第36-43页 |
| §4.2 入射质子在Si介质中的反冲原子能谱和空间分布 | 第43-48页 |
| §4.3 NIEL值Geant4模拟 | 第48-52页 |
| 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-56页 |
| §5.1 总结 | 第53-54页 |
| §5.2 论文存在的不足及课题展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 硕士阶段发表的论文 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60-66页 |
| 附录A 缩写词(A-Z) | 第60-61页 |
| 附录B Windows XP(SP2)下Geant4的安装 | 第61-66页 |
| 附录C 质子在Al介质中LET(MeV/cm)值和入射能量的关系 | 第66页 |
