摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-26页 |
·无机材料的热膨胀简介 | 第12-13页 |
·热膨胀系数 | 第12页 |
·固体材料的热膨胀 | 第12-13页 |
·负热膨胀材料的发展、研究现状和应用前景 | 第13-16页 |
·负热膨胀材料的发展 | 第13-14页 |
·负热膨胀材料的研究现状和应用前景 | 第14-16页 |
·负热膨胀化合物材料的分类 | 第16-18页 |
·AM_2O_7系列NTE材料 | 第16-17页 |
·AM_2O_8系列NTE材料 | 第17页 |
·A_2M_3O_(12)系列NTE材料 | 第17页 |
·结构特征 | 第17-18页 |
·负热膨胀机理 | 第18-20页 |
·相转变 | 第18页 |
·桥原子的低能横向热振动 | 第18-19页 |
·刚性多面体的旋转祸合模型 | 第19-20页 |
·固体内压转变 | 第20页 |
·相界面弯曲 | 第20页 |
·Al_2(WO_4)_3的性质、结构及其负热膨胀特性 | 第20-22页 |
·Al_2(WO_4)_3的性质 | 第20页 |
·Al_2(WO_4)_3的结构 | 第20-21页 |
·Al_2(WO_4)_3的负热膨胀特性 | 第21-22页 |
·Al_2(WO_4)_3的制备方法 | 第22-24页 |
·Al_2O_3或Al(OH)_3和WO_3固相法合成 | 第22页 |
·水热法合成 | 第22-23页 |
·溶胶-凝胶法 | 第23页 |
·共沉淀法 | 第23页 |
·单晶Al_2(WO_4)_3的生长 | 第23-24页 |
·本论文选题思想及研究内容 | 第24-26页 |
第二章 固相法制备Al_2(WO_4)_3粉体 | 第26-37页 |
·固相法简介 | 第26-28页 |
·固相反应机理 | 第26页 |
·影响固相反应的因素 | 第26-27页 |
·固相法的优缺点 | 第27-28页 |
·实验方法 | 第28页 |
·实验结果与讨论 | 第28-35页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体的物相分析 | 第28-29页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体的形貌分析 | 第29-30页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体的热性能分析 | 第30-31页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体的负热膨胀性能 | 第31-35页 |
·本章小结 | 第35-37页 |
第三章 沉淀法制备Al_2(WO_4)_3粉体 | 第37-47页 |
·化学沉淀法简介 | 第37页 |
·化学沉淀法分类 | 第37-38页 |
·直接沉淀法 | 第37-38页 |
·化学共沉淀法 | 第38页 |
·均相沉淀法 | 第38页 |
·金属醇盐水解法 | 第38页 |
·化学沉淀法的特点 | 第38-39页 |
·实验方法 | 第39页 |
·实验结果与讨论 | 第39-46页 |
·Al_2(WO_4)_3前驱体的热重—差热分析 | 第39-40页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体的物相分析 | 第40-41页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体的形貌分析 | 第41-42页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体的负热膨胀特性分析 | 第42-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第四章 磁控溅射法制备Al_2(WO_4)_3薄膜 | 第47-65页 |
·磁控溅射技术简介 | 第47-49页 |
·磁控溅射原理 | 第47-48页 |
·磁控溅射的特点 | 第48-49页 |
·Al_2(WO_4)_3薄膜的制备条件和实验方法 | 第49-53页 |
·靶材的选择和制备 | 第49页 |
·基片的选择和清洗 | 第49-50页 |
·溅射参数的选择 | 第50-51页 |
·前驱体薄膜的制备和热处理工艺研究 | 第51-53页 |
·Al_2(WO_4)_3薄膜的物相结构分析 | 第53-54页 |
·Al_2(WO_4)_3薄膜的形貌分析 | 第54-55页 |
·Al_2(WO_4)_3薄膜的负热膨胀特性分析 | 第55-59页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体和薄膜的负热膨胀特性比较 | 第59-62页 |
·晶胞参数的负热膨胀特性比较 | 第59-61页 |
·粉体烧结试样负热膨胀特性比较 | 第61-62页 |
·Al_2(WO_4)_3粉体和薄膜的晶粒大小初探 | 第62-64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
第五章 结论 | 第65-67页 |
第六章 研究展望 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第73页 |