| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·研究进展和状况 | 第10-12页 |
| ·本课题的意义和主要工作 | 第12-16页 |
| 第二章 碳化硅半导体材料晶体结构及其性质 | 第16-22页 |
| ·碳化硅材料的基本性质 | 第16-18页 |
| ·SiC的结构特性 | 第16页 |
| ·SiC的基本物理化学性能 | 第16-17页 |
| ·SiC的光致发光 | 第17-18页 |
| ·碳化硅材料的晶体结构 | 第18-20页 |
| ·碳化硅材料的电学性质 | 第20-22页 |
| 第三章 碳化硅半导体材料的制备工艺与晶体缺陷 | 第22-38页 |
| ·碳化硅单晶生长 | 第22-28页 |
| ·Acheson法 | 第22-23页 |
| ·LeIy方法 | 第23-25页 |
| ·籽晶升华方法 | 第25-28页 |
| ·碳化硅的薄膜外延生长 | 第28-30页 |
| ·碳化硅材料的晶体缺陷 | 第30-38页 |
| ·孪晶 | 第31-32页 |
| ·位错 | 第32-33页 |
| ·蜷线 | 第33-34页 |
| ·微管缺陷 | 第34-35页 |
| ·腐蚀坑 | 第35-38页 |
| 第四章 二次离子质谱（SIMS）分析技术及实验样品的制备 | 第38-48页 |
| ·SIMS的发展历程 | 第38页 |
| ·SIMS的工作原理 | 第38-41页 |
| ·粒子溅射的级联碰撞与二次离子发射 | 第39页 |
| ·原子团离子的形成机理 | 第39-40页 |
| ·CAMECA IMS 4F的结构与性能 | 第40-41页 |
| ·SIMS基本关系式 | 第41页 |
| ·SIMS深度分析 | 第41-42页 |
| ·SIMS分析中常用的名词 | 第42-45页 |
| ·浓度与原子密度 | 第42-43页 |
| ·溅射产额 | 第43页 |
| ·二次离子产率 | 第43页 |
| ·溅射速率 | 第43页 |
| ·基体效应 | 第43-44页 |
| ·噪声本底 | 第44-45页 |
| ·实验参考样品及制备 | 第45-48页 |
| ·SIMS参考物质的特点和分类 | 第45-48页 |
| 第五章 SIMS实验研究方法分析及结论 | 第48-58页 |
| ·SIMS深度分析条件的建立 | 第48-51页 |
| ·一次离子束及其分析参数的选择 | 第48页 |
| ·二次离子收集面积的选择 | 第48-49页 |
| ·质量分辨率的选择与干扰峰的分离 | 第49-51页 |
| ·轰击时间—溅射深度的转换与深度测量 | 第51页 |
| ·SIMS定量分析方法 | 第51-52页 |
| ·实验结果及其分析 | 第52-55页 |
| ·离子注入样品的定量分析 | 第52-54页 |
| ·检测限结果分析 | 第54-55页 |
| ·半绝缘样品的测试应用 | 第55-58页 |
| ·样品绝缘程度的影响 | 第55-56页 |
| ·半绝缘样品的SIMS分析 | 第56-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 研究成果 | 第65页 |