| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 掺硼金刚石薄膜电极 | 第10-24页 |
| ·金刚石简介 | 第10-14页 |
| ·金刚石目前的研究和发展 | 第10页 |
| ·金刚石与金刚石薄膜的优异性能 | 第10-13页 |
| ·金刚石薄膜制备工艺面临的问题 | 第13-14页 |
| ·金刚石薄膜的制备 | 第14-18页 |
| ·金刚石薄膜形成的基本条件 | 第14页 |
| ·热丝化学气相沉积法(HFCVD) | 第14-15页 |
| ·等离子体化学气相沉积法(PVCD) | 第15-17页 |
| ·火焰燃烧法 | 第17-18页 |
| ·物理气相沉积法(PVD) | 第18页 |
| ·掺硼金刚石薄膜制备 | 第18-23页 |
| ·基体的选择 | 第18-19页 |
| ·硼源的选择 | 第19-20页 |
| ·基体预处理 | 第20-21页 |
| ·热丝的选择与碳化 | 第21-22页 |
| ·形核阶段与生长阶段 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第二章 电化学基础简介 | 第24-31页 |
| ·电解池的设计要点 | 第24-25页 |
| ·电流密度 | 第24页 |
| ·电解池的材质 | 第24页 |
| ·电解池的体积 | 第24-25页 |
| ·电解池的通气装置 | 第25页 |
| ·电极的电势窗口 | 第25-26页 |
| ·水的稳定区域 | 第25页 |
| ·氢过电位和氧过电位 | 第25-26页 |
| ·金属的溶解电位 | 第26页 |
| ·决定电位窗口的因素 | 第26页 |
| ·三电极系统 | 第26-28页 |
| ·掺硼金刚石薄膜电极的特性及其电势窗口 | 第26页 |
| ·参比电极 | 第26-28页 |
| ·辅助电极及其作用 | 第28页 |
| ·循环伏安法与线性扫描技术 | 第28-31页 |
| ·循环伏安法(Cyclic Voltammetry) | 第28-29页 |
| ·溶出伏安法(Stripping Voltammetry) | 第29-31页 |
| 第三章 电化学修饰 | 第31-43页 |
| ·概述 | 第31-32页 |
| ·电极材料 | 第31页 |
| ·化学修饰电极的由来 | 第31页 |
| ·国内外研究现状 | 第31页 |
| ·前景 | 第31-32页 |
| ·分类 | 第32-34页 |
| ·吸附型 | 第32-33页 |
| ·共价键合型 | 第33页 |
| ·聚合物型 | 第33-34页 |
| ·修饰方法 | 第34-39页 |
| ·吸附型修饰电极 | 第34-36页 |
| ·共价键和型修饰电极 | 第36-38页 |
| ·聚合物膜修饰电极的修饰方法 | 第38-39页 |
| ·应用 | 第39-43页 |
| ·在有机电解反应中的应用 | 第40-41页 |
| ·在电池电极上的应用 | 第41页 |
| ·在电化学原件上的应用 | 第41页 |
| ·在分析化学中的应用 | 第41-43页 |
| 第四章 掺硼金刚石薄膜电极检测抗坏血酸 | 第43-49页 |
| ·仪器与试剂 | 第43-44页 |
| ·实验仪器 | 第43页 |
| ·实验试剂与准备 | 第43-44页 |
| ·实验方法 | 第44页 |
| ·实验条件的选择 | 第44-47页 |
| ·金刚石薄膜电极的处理 | 第44页 |
| ·缓冲液的选择 | 第44页 |
| ·起始电位的选择 | 第44页 |
| ·富集时间的选择 | 第44-45页 |
| ·缓冲液浓度的影响 | 第45页 |
| ·扫描速度的影响 | 第45-47页 |
| ·PH值的影响 | 第47页 |
| ·实验结果与讨论 | 第47-49页 |
| ·电极的重现性和再生 | 第47-48页 |
| ·线性范围和检测限 | 第48页 |
| ·干扰实验 | 第48-49页 |
| 第五章 二茂铁修饰的掺硼金刚石薄膜电极检测抗坏血酸 | 第49-53页 |
| ·二茂铁简介 | 第49-50页 |
| ·修饰方法的选择 | 第50页 |
| ·修饰的过程 | 第50-52页 |
| ·检测限和线性范围 | 第52页 |
| ·修饰前后的比较 | 第52-53页 |
| 第六章 结果与讨论 | 第53-55页 |
| ·制备掺硼金刚石薄膜电极的新工艺 | 第53页 |
| ·金刚石的优良特性及其在检测物质中的作用 | 第53页 |
| ·对掺硼的金刚石薄膜修饰的方法 | 第53-54页 |
| ·修饰后掺硼金刚石薄膜电极的应用 | 第54页 |
| ·需要改进的实验方案 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |