| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 选题背景及文献综述 | 第10-33页 |
| ·选题背景 | 第10-11页 |
| ·低介电材料的性能要求 | 第11-13页 |
| ·介电机理及降低介电常数的方法 | 第13-17页 |
| ·方法一:降低极化率 | 第14-15页 |
| ·方法二:降低材料密度 | 第15-17页 |
| ·低介电材料的分类 | 第17-18页 |
| ·低介电材料概述 | 第18-25页 |
| ·二氧化硅基低介电材料 | 第18-19页 |
| ·SSQ基低介电材料 | 第19-20页 |
| ·有机聚合物 | 第20-21页 |
| ·低介电多孔材料 | 第21-25页 |
| ·低介电薄膜材料的制备方法 | 第25-26页 |
| ·目前国内低介电及低介电多孔薄膜存在的不足 | 第26-27页 |
| ·介电材料的原理设计及课题的提出 | 第27-28页 |
| ·介电材料设计 | 第27页 |
| ·课题的提出 | 第27-28页 |
| ·参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 PPSQ基低介电薄膜的工艺探索及制备 | 第33-49页 |
| ·简介 | 第33-34页 |
| ·材料的准备 | 第34页 |
| ·试剂及原材料 | 第34页 |
| ·主要实验设备 | 第34页 |
| ·基材PPSQ物性测试 | 第34-39页 |
| ·GPC测试 | 第34-36页 |
| ·PPSQ与有机溶剂的相溶性及溶剂的选择 | 第36页 |
| ·PPSQ溶液粘度测量 | 第36-37页 |
| ·XRD测试 | 第37-38页 |
| ·TGA-DTA测试 | 第38-39页 |
| ·固化工艺的模拟 | 第39-41页 |
| ·TGA-DTG固化工艺的模拟 | 第39-41页 |
| ·PPSQ基低介电薄膜固化工艺的制定 | 第41页 |
| ·旋涂工艺 | 第41-44页 |
| ·旋涂步骤 | 第41-42页 |
| ·溶液粘度,转速与成膜状况的关系 | 第42-43页 |
| ·转速对薄膜厚度的影响 | 第43-44页 |
| ·旋涂及固化工艺的优化 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| ·参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 PPSQ基低介电薄膜的结构分析及表征 | 第49-76页 |
| ·前言 | 第49-50页 |
| ·实验及表征方法 | 第50-52页 |
| ·FT-IR红外光谱测试 | 第50页 |
| ·高斯多峰拟合 | 第50-51页 |
| ·介电常数测量 | 第51页 |
| ·吸湿性测试 | 第51-52页 |
| ·薄膜表面形貌表征 | 第52页 |
| ·FT-IR及PPSQ基介电薄膜结构的宏观分析 | 第52-57页 |
| ·FT-IR特征吸收峰及各峰归属 | 第52-55页 |
| ·固化过程的缩聚及交联 | 第55页 |
| ·PPSQ基低介电薄膜结构的宏观分析 | 第55-57页 |
| ·高斯多峰拟合及PPSQ基低介电薄膜结构的微观变化 | 第57-68页 |
| ·确定各Si-O-Si不对称伸缩振动峰 | 第57-60页 |
| ·高斯多峰拟合及数据处理 | 第60-63页 |
| ·Si-O-Si不对称伸缩结构的微观分析 | 第63-66页 |
| ·低介电薄膜热稳定性的微观分析 | 第66-67页 |
| ·玻璃化转变温度与结构的关系 | 第67-68页 |
| ·低介电薄膜形貌及性能分析 | 第68-72页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第68-70页 |
| ·薄膜吸湿性分析 | 第70-71页 |
| ·介电性能分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| ·参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 PPSQ基低介电多孔薄膜的制备及表征 | 第76-97页 |
| ·前言 | 第76-77页 |
| ·实验部分 | 第77-79页 |
| ·主要试剂及材料 | 第77页 |
| ·主要设备及仪器 | 第77-78页 |
| ·PPSQ基低介电多孔薄膜的制备 | 第78-79页 |
| ·热重分析 | 第79-83页 |
| ·Twen20及共混物的TGA-DTG分析 | 第79-82页 |
| ·P-2的TGA-DTA分析 | 第82-83页 |
| ·傅立红外及结构分析 | 第83-89页 |
| ·Twen20及其共混物的红外分析 | 第83-88页 |
| ·P-2及其共混物的红外分析 | 第88-89页 |
| ·致孔剂的装入量对多孔薄膜介电常数的影响 | 第89-91页 |
| ·Twen20装入量对多孔薄膜介电常数的影响 | 第89-90页 |
| ·P-2装入量对多孔薄膜介电常数的影响 | 第90-91页 |
| ·多孔薄膜表面形貌分析 | 第91-95页 |
| ·Twen20共混多孔薄膜场发射扫描电镜分析 | 第91-92页 |
| ·共混多孔薄膜透射电镜分析 | 第92-93页 |
| ·共混多孔薄膜原子力显微镜分析 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| ·参考文献 | 第96-97页 |
| 第五章 全文总结 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99页 |