高速低功耗4M Bits SRAM的设计与研究

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-7页
第一章 绪论	第7-11页
·课题的来源与意义	第7-8页
·SRAM 概述	第8-9页
·SRAM 设计面临的问题	第9-10页
·本论文的主要工作	第10-11页
第二章 SRAM 结构的分析与确定	第11-24页
·SRAM 的阵列结构	第11-13页
·数据通路结构研究	第13-16页
·SRAM 的时序分析	第16-18页
·4M 位SRAM 的体系结构设计	第18-24页
第三章 高速译码电路的研究分析与实现	第24-41页
·译码电路概述	第24-25页
·（超）深亚微米条件下，高速译码电路的研究	第25-36页
·4M 位SRAM 的译码电路的设计实现	第36-40页
·小结	第40-41页
第四章 存储单元的设计	第41-56页
·单元工作原理	第41-42页
·单元设计	第42-50页
·存储单元的尺寸确定与仿真	第50-55页
·小结	第55-56页
第五章 灵敏放大器及其它电路设计	第56-77页
·灵敏放大器设计	第56-58页
·运放型灵敏放大器结构	第58-69页
·实际灵敏放大器及数据通路的设计	第69-70页
·其它电路设计	第70-76页
·小结	第76-77页
第六章 电路的总体仿真	第77-84页
·4M 位SRAM 总体电路	第77-78页
·仿真过程	第78-81页
·仿真结果及分析	第81-83页
·小结	第83-84页
第七章 结束语	第84-86页
参考文献	第86-89页
攻读硕士学位期间公开发表的论文	第89-90页
致谢	第90页