| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-16页 |
| ·前言 | 第11页 |
| ·压电陶瓷 | 第11-16页 |
| ·压电陶瓷发展历史 | 第11-12页 |
| ·压电陶瓷研究现状 | 第12-13页 |
| ·压电陶瓷的应用 | 第13-16页 |
| 第二章 无铅压电材料及铋层状系统简介 | 第16-26页 |
| ·无铅压电材料简介 | 第16-17页 |
| ·铋层状无铅压电陶瓷 | 第17-23页 |
| ·铋层状结构无铅压电陶瓷 | 第17-18页 |
| ·Bi_4Ti_3O_(12)基无铅压电陶瓷 | 第18-19页 |
| ·MBi_4Ti_4O_(15)基无铅压电陶瓷 | 第19-20页 |
| ·CaBi_4Ti_4O_(15)基无铅压电陶瓷 | 第20-21页 |
| ·公差因子及稳定性 | 第21-22页 |
| ·工艺改性 | 第22-23页 |
| ·铋层状铁电体的畴结构与显微结构 | 第23页 |
| ·无铅压电陶瓷材料发展趋势 | 第23-24页 |
| ·本课题研究意义、目的、内容、实验方案 | 第24-26页 |
| 第三章 实验过程及正交设计实验 | 第26-39页 |
| ·实验方法 | 第26页 |
| ·配方的设计 | 第26-27页 |
| ·基础配方及工艺的确定 | 第26-27页 |
| ·单因素变量法研究La(OH)_3、WO_3对瓷料性能和结构的影响 | 第27页 |
| ·复合取代对陶瓷性能和结构的影响 | 第27页 |
| ·样品制备 | 第27-31页 |
| ·陶瓷样品的制备 | 第27-30页 |
| ·性能测试及仪器设备 | 第30-31页 |
| ·实验结果及其讨论 | 第31-37页 |
| ·正交设计试验结果分析与讨论 | 第31-32页 |
| ·实验结果处理与分析 | 第32-35页 |
| ·讨论 | 第35-37页 |
| ·正交设计实验小结 | 第37-39页 |
| 第四章 CBT基陶瓷工艺和性能的关系 | 第39-56页 |
| ·预烧温度的确定 | 第39-43页 |
| ·保温时间的确定 | 第43-45页 |
| ·球磨时间的确定 | 第45-47页 |
| ·烧结方式的确定 | 第47-48页 |
| ·过量氧化铋的确定 | 第48-50页 |
| ·烧结温度对显微结构的影响 | 第50-52页 |
| ·纯的CBT陶瓷的制备及性能测试 | 第52-54页 |
| ·CBT陶瓷的烧结 | 第52-53页 |
| ·能谱分析 | 第53-54页 |
| ·CBT陶瓷的介电性能和压电性能 | 第54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 第五章 氢氧化镧和氧化钨的单因素掺杂研究 | 第56-73页 |
| ·前言 | 第56页 |
| ·La(OH)_3单因素变量法掺杂实验 | 第56-65页 |
| ·CBL_xTW铁电陶瓷的X射线衍射分析 | 第56-57页 |
| ·不同烧结温度下各配方性能 | 第57-58页 |
| ·样品铁电特性 | 第58-61页 |
| ·微观结构和成分分析 | 第61-64页 |
| ·实验结果分析 | 第64页 |
| ·La(OH)_3掺杂实验小结 | 第64-65页 |
| ·WO_3单因素变量法掺杂实验 | 第65-73页 |
| ·CBLTW_x铁电陶瓷的X射线衍射分析 | 第65-66页 |
| ·WO_3对CBT基陶瓷材料性能的影响 | 第66-68页 |
| ·不同烧结温度下的介电性能 | 第68-69页 |
| ·样品铁电特性 | 第69-70页 |
| ·微观结构分析 | 第70-71页 |
| ·WO_3掺杂实验小结 | 第71-73页 |
| 第六章 复合取代对铋层状结构和性能的影响 | 第73-82页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第73-74页 |
| ·差热、热重分析 | 第74-75页 |
| ·阻温曲线 | 第75页 |
| ·不同烧结温度下各配方性能 | 第75-77页 |
| ·样品铁电特性 | 第77-79页 |
| ·微观结构分析 | 第79-81页 |
| ·(Li,Ce)复合掺杂小结 | 第81-82页 |
| 第七章 结束语 | 第82-85页 |
| ·结论 | 第82-84页 |
| ·存在的问题以及进一步研究的方向 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 在读期间发表的论文 | 第90页 |