基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 图表目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究的意义 | 第9-10页 |
| ·非易失性存储器介绍 | 第10-12页 |
| ·非易失性存储器发展 | 第12-13页 |
| ·论文的结构 | 第13-15页 |
| 第二章 电子注入模型 | 第15-28页 |
| ·电子穿隧模型 | 第15-17页 |
| ·带间电子穿隧模型 | 第15-16页 |
| ·直接穿隧模型 | 第16-17页 |
| ·福乐—诺德汉电子穿隧模型 | 第17-19页 |
| ·热载子注入模型 | 第19-27页 |
| ·什么是热载流子效应 | 第19-20页 |
| ·衬底电流模型 | 第20-23页 |
| ·幸运电子模型 | 第23-26页 |
| ·轻掺杂漏极 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 存储器内核设计 | 第28-44页 |
| ·存储器内核的提出 | 第28-29页 |
| ·阈值电压分析 | 第29-31页 |
| ·存储单元编程操作 | 第31-34页 |
| ·写入操作 | 第32-33页 |
| ·读取操作 | 第33页 |
| ·擦除操作 | 第33-34页 |
| ·实验仿真结果 | 第34-43页 |
| ·TPROCESS | 第34-38页 |
| ·TDEVICE | 第38-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第四章 阵列结构研究 | 第44-54页 |
| ·阵列结构设计 | 第44-48页 |
| ·NOR结构 | 第44-47页 |
| ·NAND结构 | 第47页 |
| ·NOR和NAND的比较 | 第47-48页 |
| ·可靠性分析 | 第48-50页 |
| ·字线扰动 | 第48-49页 |
| ·位线扰动 | 第49-50页 |
| ·读取扰动和过擦写 | 第50页 |
| ·对扰动的仿真 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总体结构 | 第54-62页 |
| ·非易失性存储器总体结构框图 | 第54-55页 |
| ·高压发生器设计 | 第55-58页 |
| ·灵敏放大器设计 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
