陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池的研究
| 第一章 序言 | 第1-19页 |
| §1.1 太阳电池的应用前景 | 第8-10页 |
| ·太阳电池的发展 | 第8-9页 |
| ·我国太阳电池的发展 | 第9-10页 |
| §1.2 薄膜太阳电池 | 第10-16页 |
| ·太阳电池的研究概况 | 第10-11页 |
| ·薄膜太阳电池的特点 | 第11-13页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池 | 第13-16页 |
| §1.3 本文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 太阳电池原理 | 第19-29页 |
| §2.1 太阳电池的物理基础 | 第19-22页 |
| ·p-n结的形成 | 第19-21页 |
| ·光在半导体中的吸收过程 | 第21-22页 |
| §2.2 太阳电池结构 | 第22-24页 |
| ·光生伏特效应 | 第22-23页 |
| ·太阳电池的结构 | 第23-24页 |
| §2.3 太阳电池的性能参数 | 第24-28页 |
| ·太阳电池的性能参数 | 第24-26页 |
| ·太阳电池的等效电路 | 第26-27页 |
| ·太阳电池效率及其影响因素 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 陶瓷衬底上的多晶硅薄膜太阳电池及外延系统 | 第29-42页 |
| §3.1 陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池的结构 | 第29-33页 |
| §3.2 陶瓷衬底 | 第33-35页 |
| ·陶瓷衬底的制作 | 第33页 |
| ·陶瓷衬底的选择 | 第33-35页 |
| §3.3 RTCVD外延系统 | 第35-40页 |
| ·RTCVD基本原理 | 第35-37页 |
| ·RTCVD系统 | 第37-38页 |
| ·掺杂气体(B_2H_6)流量的确定 | 第38-39页 |
| ·外延层厚度的测量 | 第39-40页 |
| §3.4 小结 | 第40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第四章 晶体硅薄膜和区熔再结晶 | 第42-58页 |
| §4.1 不同衬底上的多晶硅薄膜 | 第42-43页 |
| §4.2 区熔再结晶的原理 | 第43-48页 |
| ·区熔再结晶过程分析 | 第43-45页 |
| ·再结晶硅中缺陷产生机理 | 第45-48页 |
| §4.3 区熔再结晶工艺研究 | 第48-51页 |
| ·仪器结构 | 第48-49页 |
| ·区熔再结晶工艺参数优化 | 第49-51页 |
| §4.4 区熔前后材料性能分析 | 第51-56页 |
| ·区熔后硅膜形貌观察 | 第51-53页 |
| ·ZMR前后硅膜晶向及电学特性的测定 | 第53-55页 |
| ·外延后形貌 | 第55-56页 |
| §4.5 小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 电池制作 | 第58-65页 |
| §5.1 电极制作过程 | 第58-60页 |
| §5.2 电池性能测试 | 第60-64页 |
| §5.3 小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第67页 |
