| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 序 | 第9-12页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| ·ZnO的基本特征与优点 | 第12-16页 |
| ·ZnO的晶格结构 | 第12-13页 |
| ·ZnO的特性及优异性 | 第13-14页 |
| ·纳米ZnO材料 | 第14-16页 |
| ·ZnO材料的发展与研究 | 第16-18页 |
| ·ZnO的发光特性 | 第16-17页 |
| ·N型ZnO的研究 | 第17页 |
| ·P型ZnO的研究 | 第17-18页 |
| ·有机-无机异质结的发展与研究 | 第18-20页 |
| ·异质结的发展原理 | 第18-19页 |
| ·有机无机异质结的优势 | 第19-20页 |
| ·有关界面修饰的研究 | 第20-21页 |
| ·阴极修饰 | 第20-21页 |
| ·阳极修饰 | 第21页 |
| ·ZnO研究的现存问题 | 第21-22页 |
| ·本论文主要工作 | 第22-24页 |
| 2 ZnO纳米棒的制备与表征 | 第24-33页 |
| ·ZnO纳米棒的制备 | 第24-28页 |
| ·ZnO晶种的制备过程 | 第24-25页 |
| ·ZnO纳米棒的制备过程 | 第25-26页 |
| ·ZnO纳米棒的生长机理 | 第26-27页 |
| ·晶种退火对纳米棒生长的影响 | 第27-28页 |
| ·ZnO纳米棒的表征 | 第28-33页 |
| ·ZnO纳米棒的SEM表征 | 第28-30页 |
| ·ZnO纳米棒的XRD表征 | 第30页 |
| ·ZnO纳米棒的吸收光谱 | 第30-31页 |
| ·ZnO纳米棒的光致光谱 | 第31-33页 |
| 3 Alq_3 电子传输层对器件性能的改善 | 第33-42页 |
| ·有无Alq_3修饰的器件性能 | 第33-36页 |
| ·不同厚度Alq_3的影响 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 4 通过阴极修饰对器件性能的改善 | 第42-49页 |
| ·LiF阴极修饰对器件性能的改善 | 第42-44页 |
| ·LiF阴极修饰器件的制备 | 第42-43页 |
| ·LiF阴极修饰实验结果分析 | 第43-44页 |
| ·CS_2CO_3阴极修饰对器件性能的影响 | 第44-48页 |
| ·CS_2CO_3阴极修饰器件的制备 | 第45页 |
| ·CS_2CO_3阴极修饰实验结果分析 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 在PEDOT：PSS上制备ZnO纳米棒的条件以及器件 | 第49-60页 |
| ·探索在PEDOT：PSS上制备取向一致的ZnO纳米棒阵列 | 第49-51页 |
| ·PEDOT：PSS/ZnO纳米棒的光致发光 | 第51页 |
| ·PEDOT：PSS/ZnO纳米棒电致发光器件的制备 | 第51-59页 |
| ·高温退火的PEDOT：PSS/ZnO纳米棒/MEH-PPV器件 | 第51-53页 |
| ·阴极修饰对高温退火的PEDOT：PSS/ZnO纳米棒/MEH-PPV器件的影响 | 第53-54页 |
| ·低温退火的PEDOT：PSS/ZnO纳米棒/MEH-PPV器件 | 第54-57页 |
| ·阴极修饰对低温退火PEDOT：PSS/ZnO纳米棒/MEH-PPV器件性能影响 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 6 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录A | 第66-67页 |
| 索引 | 第67-68页 |
| 作者简历 | 第68-70页 |
| 学位论文数据集 | 第70页 |
