SiO_xN_y和SiN_x薄膜的结构和光致发光性质研究

第一章 引言	第1-14页
·硅基发光材料研究的背景和意义	第10页
·硅基发光材料研究的发展	第10-12页
·本论文的研究思路和主要内容	第12-14页
第二章 薄膜的制备和表征	第14-21页
·薄膜的制备	第14-17页
·双离子束溅射沉积技术	第14-16页
·基片	第16-17页
·薄膜的表征	第17-21页
·X射线衍射分析(XRD)	第17-18页
·透射电子显微镜以及选区电子衍射(TEM)	第18页
·X射线光电子能谱(XPS)	第18-20页
·傅立叶变换红外光谱分析(FTIR)	第20-21页
第三章 薄膜的结构	第21-34页
·退火处理装置	第21页
·SiO_xN_y薄膜的结构	第21-27页
·SiN_x薄膜的结构	第27-32页
·本章小结	第32-34页
第四章 硅基薄膜的光吸收特性	第34-41页
·引言	第34页
·光吸收边的测量和确定	第34-35页
·紫外可见光谱	第35-41页
第五章 硅基薄膜的光致发光特性	第41-53页
·固体的发光	第41页
·光致发光的原理	第41-42页
·SiO_xN_y薄膜的光致发光	第42-48页
·SiN_x薄膜的光致发光	第48-52页
·本章小结	第52-53页
第六章 结论	第53-55页
参考文献	第55-58页
硕士期间发表论文	第58-59页
致谢	第59页