射频CMOS压控振荡器相位噪声的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-13页 |
| ·CMOS集成电路的发展 | 第8页 |
| ·射频集成电路 | 第8-10页 |
| ·射频集成电路发展 | 第8-9页 |
| ·射频接收系统描述 | 第9-10页 |
| ·VCO技术发展状况 | 第10-11页 |
| ·研究低相噪VCO的意义 | 第11-12页 |
| ·论文的研究内容 | 第12页 |
| ·本章小结 | 第12-13页 |
| 2 LC VCO设计基础 | 第13-25页 |
| ·压控振荡器基本原理 | 第13-17页 |
| ·双端口反馈系统分析 | 第13-14页 |
| ·单端能量补偿系统分析 | 第14-16页 |
| ·压控振荡器电路设计的几项指标 | 第16-17页 |
| ·电感电容压控振荡器 | 第17-19页 |
| ·LC VCO数学模型 | 第17-18页 |
| ·交叉耦合全差分结构 | 第18-19页 |
| ·LC VCO结构比较 | 第19-24页 |
| ·窄带电感电容压控振荡器 | 第19-20页 |
| ·宽带电感电容压控振荡器 | 第20-22页 |
| ·正交输出电感电容压控振荡器的实现 | 第22-23页 |
| ·LC VCO设计约束 | 第23-24页 |
| ·VCO设计的难点 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 LC谐振回路 | 第25-32页 |
| ·谐振腔的Q值 | 第25-26页 |
| ·集成螺旋电感概述 | 第26-30页 |
| ·平面螺旋电感 | 第27-29页 |
| ·提高电感品质因数的方法 | 第29-30页 |
| ·集成可变电容 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 4 振荡器相位噪声理论 | 第32-42页 |
| ·相位噪声概述 | 第32-33页 |
| ·线性时不变模型(LTI) | 第33-35页 |
| ·线性时变模型(LTV) | 第35-41页 |
| ·相位与电压转换 | 第38-39页 |
| ·单边带噪声谱密度与载波功率比 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 5 压控振荡器的优化 | 第42-53页 |
| ·低功耗设计 | 第42-43页 |
| ·振荡器谐振幅度 | 第43-44页 |
| ·噪声载波比 | 第44-46页 |
| ·低相位噪声设计 | 第46-52页 |
| ·大电容滤波 | 第48-49页 |
| ·二次谐波谐振滤波 | 第49-50页 |
| ·感性压控端 | 第50-52页 |
| ·源极电感负反馈的尾电流源 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 6 VCO电路设计 | 第53-60页 |
| ·电路结构的选择 | 第53-54页 |
| ·LC回路的设计 | 第54页 |
| ·电感的选取 | 第54-55页 |
| ·电容的选取 | 第55-56页 |
| ·MOS管和偏置电流的选择 | 第56页 |
| ·电路仿真结果 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 7 结论与展望 | 第60-61页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录 | 第65页 |
