| 论文摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-14页 |
| 第一章 导论 | 第14-26页 |
| ·光子晶体概述 | 第14-21页 |
| ·光子晶体简介 | 第14-15页 |
| ·光子晶体性质及其制备技术 | 第15-18页 |
| ·一维光子晶体的原理及其应用 | 第18-20页 |
| ·基于多孔硅一维光子晶体的简介 | 第20-21页 |
| ·红外热释电传感器概述 | 第21-23页 |
| ·红外探测器简介 | 第21-22页 |
| ·基于多孔硅一维光子晶体在红外探测领域中的应用 | 第22-23页 |
| ·本论文拟开展的研究方案及可行性分析 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要工作 | 第24-26页 |
| 第二章 多孔硅一维光子晶体原理及制作方法 | 第26-41页 |
| ·多孔硅形成机理 | 第26-28页 |
| ·多孔氧化硅一维光子晶体原理 | 第28-29页 |
| ·多孔硅一维光子晶体实验、处理及表征设备 | 第29-34页 |
| ·电化学腐蚀设备 | 第29-30页 |
| ·基于虚拟仪器开发的电参数测控设备 | 第30-32页 |
| ·多孔硅一维光子晶体快速热处理设备 | 第32-33页 |
| ·傅立叶变换红外谱原理 | 第33-34页 |
| ·多孔硅的一维光子晶体制备、工艺参数处理 | 第34-40页 |
| ·电流密度的选定 | 第34-36页 |
| ·氢氟酸浓度的选定 | 第36-37页 |
| ·硅衬底的选定 | 第37页 |
| ·腐蚀时间的选定 | 第37-38页 |
| ·腐蚀温度的选定 | 第38-39页 |
| ·快速热氧化条件的选定 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 多孔硅一维光子晶体的设计 | 第41-52页 |
| ·一维光子晶体模型 | 第41-44页 |
| ·一维光子晶体的Kronig-Penney模型 | 第41-42页 |
| ·一维光子晶体的传输矩阵模型 | 第42-44页 |
| ·基于MATLAB的多孔硅一维光子晶体设计 | 第44-46页 |
| ·实验参数的讨论 | 第46-49页 |
| ·多层膜生长速率的测定 | 第46-47页 |
| ·各层膜厚与折射率的选定 | 第47页 |
| ·周期数的选定 | 第47-49页 |
| ·中红外波段(5、6、7微米)多孔硅一维光子晶体实验参数的选定 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 中红外波段多孔硅一维光子晶体的研究 | 第52-61页 |
| ·中红外波段多孔硅一维光子晶体的制备 | 第52-55页 |
| ·多孔硅一维光子晶体阳极氧化异常现象、原因及解决 | 第52-54页 |
| ·多孔硅一维光子晶体阳极氧化前后处理 | 第54-55页 |
| ·多孔硅一维光子晶体氧化行为研究 | 第55-58页 |
| ·宽角度多孔硅一维光子晶体反射镜研究 | 第58-59页 |
| ·多孔硅一维光子晶体表面特性改善 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 远红外波段多孔硅一维光子晶体的实现 | 第61-67页 |
| ·研究意义 | 第61页 |
| ·实验优化 | 第61-62页 |
| ·测试表征 | 第62-64页 |
| ·远红外波段多孔硅一维光子晶体设计与模拟 | 第62-63页 |
| ·10微米中心禁带宽角度反射镜的讨论 | 第63-64页 |
| ·远红外波段多孔硅一维光子晶体阵列的实现 | 第64-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第75页 |