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介观器件的光学特性

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-24页
   ·引言第7-12页
   ·介观器件的基本结构第12-18页
     ·超晶格和量子阱第12-17页
     ·超晶格材料的应用第17-18页
   ·量子线和量子点第18-20页
     ·量子线第18-19页
     ·量子点第19-20页
   ·低维材料的能带结构第20-24页
第二章 低维材料的电子输运和光学性质第24-39页
   ·低维材料的电学性质第24-29页
     ·量子隧穿效应第25-26页
     ·库仑阻塞效应第26-27页
     ·量子干涉效应第27页
     ·二维电子气和霍耳(Hall)效应第27-29页
   ·低维材料的光学性质第29-35页
     ·量子限制效应第29-30页
     ·声子受限效应第30页
     ·超晶格微带效应第30-31页
     ·Stark效应和量子约束Stark效应第31-34页
     ·负微分电阻第34-35页
   ·超晶格量子阱的发展和应用第35-39页
     ·新器件第36-37页
     ·新学科、新技术第37-39页
第三章 变化电场作用下BLOCH振荡的自发辐射第39-54页
   ·紧束缚电子模型第39-41页
   ·电场中电子的运动第41-46页
     ·Bloch振荡第42-44页
     ·Wannier-Stark梯第44-46页
   ·BLOCH振荡的自发发射第46-49页
     ·跃迁特性的选择定则第47-48页
     ·总自发发射几率第48-49页
   ·在超晶格中电子BLOCH振荡的自发发射第49-52页
     ·理论模型第49页
     ·计算结果第49-51页
     ·讨论第51-52页
   ·总结与展望第52-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-59页
攻读硕士期间完成的论文第59页

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