摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-18页 |
·色氨酸的理化性质 | 第11-12页 |
·色氨酸的应用 | 第12-13页 |
·色氨酸在医学中的应用 | 第12页 |
·色氨酸在食品工业中的应用 | 第12页 |
·色氨酸在饲料工业中的应用 | 第12-13页 |
·色氨酸的分离分析方法概述 | 第13-16页 |
·分光光度法 | 第13页 |
·荧光光谱法 | 第13-14页 |
·高效液相色谱法 | 第14页 |
·毛细管电泳法 | 第14-15页 |
·流动注射化学发光法 | 第15页 |
·电化学法 | 第15-16页 |
·本论文的研究意义 | 第16-18页 |
第二章 聚对氨基苯磺酸膜修饰电极的电聚合制备及在色氨酸检测中的应用研究 | 第18-30页 |
·引言 | 第18页 |
·实验部分 | 第18-19页 |
·仪器与试剂 | 第18-19页 |
·Poly(p-ABSA)/GCE 的制备 | 第19页 |
·实验方法 | 第19页 |
·结果与讨论 | 第19-30页 |
·电聚合制备Poly(p-ABSA)/GCE | 第19-20页 |
·聚对氨基苯磺酸膜的表征 | 第20-21页 |
·Poly(p-ABSA)/GCE 电化学性能研究 | 第21-22页 |
·Trp 在Poly(p-ABSA)/GCE 上的伏安行为 | 第22-23页 |
·p-ABSA 溶液pH 值对Trp 氧化峰峰电流的影响 | 第23-24页 |
·膜厚对Trp 氧化峰峰电流的影响 | 第24页 |
·富集电位和富集时间对Trp 氧化峰峰电流的影响 | 第24-26页 |
·pH 值对Trp 氧化峰电流的影响 | 第26页 |
·扫描速度对Trp 氧化峰电流的影响 | 第26-27页 |
·干扰及重现性 | 第27-28页 |
·测定Trp | 第28-29页 |
·分析应用 | 第29-30页 |
第三章 电沉积SiO_2纳米膜修饰电极测定色氨酸 | 第30-41页 |
·引言 | 第30-31页 |
·实验部分 | 第31-32页 |
·仪器与试剂 | 第31页 |
·nano-SiO_2/GCE 的制备 | 第31页 |
·实验方法 | 第31-32页 |
·结果与讨论 | 第32-41页 |
·纳米SiO_2 膜的结构表征 | 第32-33页 |
·nano-SiO_2/GCE 的电化学性能表征 | 第33-34页 |
·Trp 在nano-SiO_2/GCE 上的电化学行为 | 第34-35页 |
·TEOS 含量对Trp 氧化峰峰电流的影响 | 第35-36页 |
·电沉积时间对Trp 氧化峰电流的影响 | 第36-37页 |
·富集电位和富集时间对Trp 氧化峰电流的影响 | 第37页 |
·pH 值对Trp 氧化峰峰电流的影响 | 第37-38页 |
·扫描速度对Trp 氧化峰峰电流的影响 | 第38页 |
·干扰及重现性 | 第38-39页 |
·测定Trp | 第39-40页 |
·分析应用 | 第40-41页 |
第四章 SDBS 存在下色氨酸在金纳米颗粒修饰电极上的电化学行为研究 | 第41-52页 |
·引言 | 第41页 |
·实验部分 | 第41-42页 |
·仪器与试剂 | 第41-42页 |
·Nano-Gold/GCE 的制备 | 第42页 |
·实验方案 | 第42页 |
·结果与讨论 | 第42-52页 |
·Nano-Gold /GCE 的表面形貌表征 | 第42-43页 |
·Nano-Gold/GCE 的电化学性能表征 | 第43-44页 |
·Trp 的伏安行为 | 第44-46页 |
·HAuCl_4 浓度对Trp 氧化峰电流的影响 | 第46页 |
·沉积时间对Trp 氧化峰电流的影响 | 第46-47页 |
·溶液中SDBS 浓度对Trp 氧化峰电流的影响 | 第47页 |
·富集电位和富集时间对Trp 氧化峰电流的影响 | 第47-48页 |
·溶液pH 值对Trp 氧化峰电流的影响 | 第48-49页 |
·扫描速度对Trp 氧化峰峰电流的影响 | 第49页 |
·干扰及重现性 | 第49-50页 |
·Trp 的测定 | 第50页 |
·样品分析 | 第50-52页 |
全文总结 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
附录A 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第65页 |