| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| ·薄膜晶体管的基本概念及理论 | 第10-12页 |
| ·薄膜晶体管的器件结构 | 第10页 |
| ·薄膜晶体管 I/V 特性的推导 | 第10-12页 |
| ·透明薄膜晶体管的研究概况 | 第12-23页 |
| ·透明电子学的基本概念 | 第12页 |
| ·透明电子学的起源 | 第12-15页 |
| ·透明薄膜晶体管的文献回顾 | 第15-23页 |
| ·透明薄膜晶体管在电路中的应用 | 第23-26页 |
| ·透明反相器和环形振荡器 | 第23-26页 |
| ·全波整流器 | 第26页 |
| ·电平位移电路 | 第26页 |
| ·本课题研究的背景、意义和内容 | 第26-30页 |
| ·研究背景和意义 | 第26-27页 |
| ·面临的主要问题 | 第27-28页 |
| ·本文研究的内容 | 第28-30页 |
| 第2章 TTFT 的基本制造工艺 | 第30-40页 |
| ·射频磁控溅射 | 第30-33页 |
| ·等离子增强化学气相沉积（PECVD） | 第33-37页 |
| ·电子束蒸发镀膜 | 第37-40页 |
| 第3章 透明InGaZn0_4 TTFs 的制作与测试 | 第40-53页 |
| ·TFT 的结构设计 | 第40页 |
| ·InGaZn0_4 TTF 的制作工艺 | 第40-45页 |
| ·玻璃衬底的清洗 | 第40-41页 |
| ·等离子体增强化学汽相沉积栅介质Si02 | 第41-44页 |
| ·射频磁控溅射沉积InGaZn0_4 | 第44-45页 |
| ·直流溅射ITO 源漏电极 | 第45页 |
| ·InGaZn0_4 TTFT 的测试及相关讨论 | 第45-53页 |
| ·薄膜晶体管的基本测试技术 | 第45-48页 |
| ·薄膜晶体管的测试结果及讨论 | 第48-53页 |
| 第4章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-66页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |