| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第5-10页 |
| ·FLASH存储器的介绍 | 第5-7页 |
| ·FLASH基准电压的基本概念 | 第7-9页 |
| ·论文内容 | 第9-10页 |
| 第2章 FLASH存储器的理论基础 | 第10-16页 |
| ·浮栅的技术原理 | 第10-12页 |
| ·FN隧道效应(FOWLER-NORDHEIM TUNNELING) | 第12-14页 |
| ·沟道热电子效应(CHANNEL HOT-ELECTRON INJECTION) | 第14-16页 |
| 第3章 FLASH基准电压调整算法的分析 | 第16-28页 |
| ·影响阈值电压变化的因素 | 第16-21页 |
| ·算法的理论推导和图解 | 第21-28页 |
| 第4章 算法在65NM晶圆测试中的实现 | 第28-36页 |
| ·相关参数的选取 | 第28-32页 |
| ·漏极电压的选择 | 第32-36页 |
| 第5章 量产后的数据分析与改进 | 第36-42页 |
| ·大规模测试中发生的问题 | 第36-38页 |
| ·分析问题成因及提供解决方法 | 第38-42页 |
| 第6章 结论与展望 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |