| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·SiC薄膜概述 | 第16-21页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第16-18页 |
| ·SiC的性质 | 第18-20页 |
| ·SiC薄膜的研究进展 | 第20页 |
| ·SiC薄膜的应用前景 | 第20-21页 |
| ·SiC薄膜的制备方法 | 第21-25页 |
| ·磁控溅射(MS) | 第22页 |
| ·热分解技术 | 第22页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第22-23页 |
| ·真空蒸发(VE) | 第23-24页 |
| ·离子束溅射沉积(IBD) | 第24页 |
| ·激光分子束外延(Laser MBE) | 第24-25页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第25页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第二章 磁控溅射原理及薄膜表征 | 第27-42页 |
| ·磁控溅射的发展历史及原理 | 第27-34页 |
| ·磁控溅射的发展历史 | 第27页 |
| ·溅射的基本原理 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射镀膜机理 | 第28-30页 |
| ·辉光放电 | 第30-32页 |
| ·溅射率 | 第32-34页 |
| ·薄膜的沉积过程 | 第34-35页 |
| ·衬底的清洗方法 | 第35-36页 |
| ·薄膜的表征技术 | 第36-41页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第36-38页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第38页 |
| ·拉曼光谱技术(RS)和光致发光技术(PL) | 第38-39页 |
| ·透射电子显微镜 | 第39页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第39-40页 |
| ·薄膜电阻的测试 | 第40页 |
| ·薄膜硬度测试 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 SiC薄膜的制备工艺 | 第42-58页 |
| ·玻璃衬底上制备SiC薄膜 | 第42-43页 |
| ·单晶Si(100)衬底上制备SiC薄膜 | 第43-52页 |
| ·溅射偏压对SiC薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·溅射气压对SiC薄膜结构的影响 | 第45-47页 |
| ·氩气流量对SiC薄膜结构的影响 | 第47-49页 |
| ·退火温度对SiC薄膜结构的影响 | 第49-52页 |
| ·A不锈钢衬底上制备SiC薄膜及其性能研究 | 第52-56页 |
| ·氩气流量对SiC薄膜性能的影响 | 第52-53页 |
| ·溅射气压对SiC薄膜性能的影响 | 第53-56页 |
| ·M不锈钢上SiC薄膜的制备与性能 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 缓冲层薄膜的制备 | 第58-73页 |
| ·TiN薄膜的制备 | 第58-63页 |
| ·不同衬底材料上TiN薄膜的XRD分析 | 第59-61页 |
| ·不同沉积气压TiN薄膜的XRD分析 | 第61-62页 |
| ·不同氩氮流量比条件下TiN薄膜的XRD分析 | 第62-63页 |
| ·退火对TiN薄膜结构的影响 | 第63页 |
| ·Al_2O_3薄膜的制备 | 第63-69页 |
| ·溅射气压对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第64-66页 |
| ·氧气流量对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第66-67页 |
| ·射频功率对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第67-69页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 单层薄膜与双层薄膜性能的比较 | 第73-85页 |
| ·光学性能的比较 | 第73-78页 |
| ·退火温度对SiC单层薄膜发光性能的影响 | 第73-75页 |
| ·退火温度对SiC/AlN/Si(100)双层膜发光性能的影响 | 第75-78页 |
| ·硬度的比较 | 第78-83页 |
| ·SiC/A单层膜与SiC/TiN/A和SiC/Al_2O_3/A双层膜硬度值对比 | 第79-82页 |
| ·SiC/M单层膜与SiC/TiN/M和SiC/Al_2O_3/M双层膜硬度值对比 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 结论与展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-92页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第92页 |
