| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 1 绪论 | 第13-33页 |
| ·MOSFET器件的等比例缩小 | 第13-19页 |
| ·微电子技术的发展 | 第13-16页 |
| ·SiO_2作为栅介质的限制 | 第16-18页 |
| ·高K栅介质材料的引入 | 第18-19页 |
| ·高K栅介质材料的基本要求 | 第19-24页 |
| ·介电常数、禁带宽度及势垒高度 | 第19-21页 |
| ·热稳定性 | 第21-23页 |
| ·界面特性 | 第23页 |
| ·高K栅介质薄膜的形态 | 第23-24页 |
| ·工艺兼容性与可靠性 | 第24页 |
| ·高K栅介质材料的研究体系 | 第24-27页 |
| ·单一氧化物体系 | 第24-26页 |
| ·复杂氧化物体系 | 第26-27页 |
| ·Hf基氧化物的研究进展以及目前存在的问题 | 第27-31页 |
| ·铪基氧化物的研究进展 | 第27-30页 |
| ·铪基氧化物目前存在的问题 | 第30-31页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第31-33页 |
| 2 薄膜的制备与表征 | 第33-47页 |
| ·高K栅介质薄膜的制备 | 第33-39页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第33-34页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第34-35页 |
| ·高K栅介质薄膜的沉积技术 | 第35-36页 |
| ·本论文使用的沉积技术及原理 | 第36-39页 |
| ·高K栅介质薄膜的表征 | 第39-47页 |
| ·薄膜物理性能表征 | 第39-42页 |
| ·薄膜电学性能表征 | 第42-47页 |
| 3 氧化钆掺杂氧化铪GHO高K栅介质薄膜的制备与表征 | 第47-55页 |
| ·试验方法 | 第47-49页 |
| ·靶材的制备 | 第47页 |
| ·基底清洗 | 第47-48页 |
| ·氧化物薄膜生长 | 第48-49页 |
| ·氧化物薄膜表征及分析 | 第49页 |
| ·GHO薄膜物理性能表征 | 第49-52页 |
| ·XRD分析 | 第49-50页 |
| ·薄膜的界面 | 第50页 |
| ·GHO薄膜的成分分析(XPS) | 第50-52页 |
| ·GHO掺杂薄膜的电学性能表征 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 4 氧化钆掺杂氧化铪栅介质薄膜的电学特性研究 | 第55-66页 |
| ·试验方法 | 第55-60页 |
| ·靶材制备 | 第55页 |
| ·衬底清洗与薄膜生长 | 第55页 |
| ·电学特性表征 | 第55-60页 |
| ·GHO薄膜的电学特性 | 第60-65页 |
| ·I-V表征 | 第60-61页 |
| ·C-V表征 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 5 PDA气氛对GHO高K栅介质薄膜漏电流机制及电学性能的影响 | 第66-74页 |
| ·试验方法 | 第66-67页 |
| ·电学性能表征 | 第67-72页 |
| ·I-V表征 | 第67-71页 |
| ·C-V表征 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 6 氧化钆掺杂对氧化铪高K栅介质薄膜氧空位的抑制作用研究 | 第74-85页 |
| ·前言 | 第74页 |
| ·氧化铪栅介质中的氧空位、抑制及分析方法 | 第74-79页 |
| ·氧化铪栅介质中的氧空位 | 第74-76页 |
| ·氧空位的抑制方法 | 第76-77页 |
| ·氧空位的分析方法 | 第77-79页 |
| ·试验方法 | 第79页 |
| ·氧化钆的掺杂对氧化铪氧空位的抑制作用 | 第79-84页 |
| ·小结 | 第84-85页 |
| 7 结论 | 第85-89页 |
| ·主要内容和结论 | 第85-87页 |
| ·主要创新点 | 第87-88页 |
| ·有待进一步深入研究的工作 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-101页 |
| 在学研究成果 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
