空间GaAs太阳能电池用Ge单晶的位错形态及硬度研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1. 引言 | 第10-25页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·Ge的性质 | 第11-13页 |
| ·Ge的物理性质 | 第11页 |
| ·Ge的电学性质 | 第11-12页 |
| ·Ge的机械性质 | 第12页 |
| ·Ge的光学性质 | 第12-13页 |
| ·Ge单晶的应用 | 第13-15页 |
| ·Ge单晶的生长方法简介 | 第15-20页 |
| ·CZ法 | 第15-17页 |
| ·VGF法 | 第17-20页 |
| ·国内外Ge的研究现状 | 第20-23页 |
| ·国外Ge的研究现状 | 第20-21页 |
| ·国内Ge的研究现状 | 第21-23页 |
| ·论文的研究内容和研究意义 | 第23-25页 |
| ·论文的研究内容 | 第23页 |
| ·论文的研究意义 | 第23-25页 |
| 2. 低位错Ge单晶的制备 | 第25-35页 |
| ·实验设备及工艺参数介绍 | 第25-26页 |
| ·Ge单晶的制备工艺 | 第26-28页 |
| ·装炉 | 第26页 |
| ·引晶 | 第26-27页 |
| ·缩颈 | 第27页 |
| ·放肩 | 第27页 |
| ·等径 | 第27页 |
| ·收尾 | 第27-28页 |
| ·降低位错密度的工艺方法 | 第28-34页 |
| ·设计合理的热场 | 第28-31页 |
| ·缩颈工艺排除籽晶中位错的延伸 | 第31-32页 |
| ·控制合适的固液界面形状 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 3. Ge单晶中位错形态的研究 | 第35-51页 |
| ·单晶中存在的缺陷类型 | 第35-37页 |
| ·空位团 | 第35页 |
| ·位错 | 第35-36页 |
| ·夹杂 | 第36页 |
| ·空洞 | 第36页 |
| ·杂质析出 | 第36-37页 |
| ·孪晶 | 第37页 |
| ·PN结 | 第37页 |
| ·低位错Ge单晶生长中常见位错形态 | 第37-40页 |
| ·花形结构位错形态的研究 | 第40-47页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·分析与讨论 | 第41-47页 |
| ·Ge单晶纵向位错分布研究 | 第47-50页 |
| ·单晶头部位错分布 | 第47页 |
| ·单晶尾部位错分布 | 第47-48页 |
| ·单晶重量对位错产生的影响 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 4. Ge单晶硬度特性的研究 | 第51-62页 |
| ·维氏硬度测试方法 | 第51-52页 |
| ·实验 | 第52-53页 |
| ·结果及讨论 | 第53-61页 |
| ·晶向对硬度特性的影响 | 第57-59页 |
| ·位错对硬度特性的影响 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
