| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·半导体量子点 | 第8-11页 |
| ·半导体量子点的制备方法 | 第8-9页 |
| ·InAs/GaAs 应力自组装量子点 | 第9-10页 |
| ·半导体量子点的应用 | 第10-11页 |
| ·锑化物合金 | 第11-13页 |
| ·锑化物三元合金的生长 | 第12页 |
| ·InAs/GaAsSb 量子点 | 第12-13页 |
| ·分子束外延技术 | 第13-14页 |
| ·研究目的和意义 | 第14-16页 |
| 第2章 实验方法 | 第16-26页 |
| ·分子束外延生长 | 第16-19页 |
| ·分子束外延系统 | 第16-18页 |
| ·MBE 生长实验的一般步骤 | 第18-19页 |
| ·材料分析方法 | 第19-26页 |
| ·反射式高能电子衍射 | 第19-21页 |
| ·透射电子显微镜 | 第21-23页 |
| ·原子力显微镜 | 第23-24页 |
| ·高分辨X 射线衍射技术 | 第24-25页 |
| ·光致发光光谱测试技术 | 第25-26页 |
| 第3章 InAs/GaAs 量子点分子束外延生长及形态控制 | 第26-39页 |
| ·应力自组装原理 | 第26-28页 |
| ·分子束外延的生长机理 | 第26-27页 |
| ·外延生长的S-K 模式 | 第27-28页 |
| ·InAs/GaAs 量子点的分子束外延生长 | 第28-29页 |
| ·InAs/GaAs 量子点成核长大过程的RHEED 分析 | 第29-31页 |
| ·生长工艺对InAs/GaAs 量子点密度和尺寸分布的影响 | 第31-35页 |
| ·量子点密度和尺寸分布的测量 | 第31-32页 |
| ·V/III 比对量子点密度和尺寸的影响 | 第32-33页 |
| ·生长中断时间对量子点密度和尺寸的影响 | 第33-35页 |
| ·中断工艺对发光特性的影响 | 第35-38页 |
| ·光致发光谱的测量 | 第35-36页 |
| ·中断时间对量子点发光的影响 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 Sb 浸渍法制备GaAsSb 及其界面结构研究 | 第39-48页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格的分子束外延生长 | 第39-40页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格结构参数的测量 | 第40-47页 |
| ·基于XRD 微结构分析 | 第40-41页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格结构参数 | 第41-44页 |
| ·GaAs/GaAsSb 界面质量分析 | 第44-45页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格光学特性分析 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 InAs/GaAsSb 量子点分子束外延生长研究 | 第48-54页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·InAs/GaAsSb 量子点的生长 | 第49页 |
| ·Sb 对量子点生长的影响 | 第49-53页 |
| ·Sb 对量子点密度的影响 | 第49-52页 |
| ·Sb 对量子点生长热力学分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
