| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 相变存储器选通管 | 第9-11页 |
| 1.3 VO_2的金属绝缘体相变 | 第11-14页 |
| 1.4 VO_2的研究现状及应用 | 第14-16页 |
| 1.5 课题来源及主要研究工作 | 第16-18页 |
| 2 VO_2制备工艺研究 | 第18-39页 |
| 2.1 VO_2相变特性表征 | 第18-19页 |
| 2.2 样品制备 | 第19-21页 |
| 2.3 氧气浓度对VO_2薄膜相变特性的影响 | 第21-33页 |
| 2.4 退火对VO_2相变特性的影响 | 第33-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 3 二氧化钒开关特性研究 | 第39-47页 |
| 3.1 开关特性的能带解释 | 第39-41页 |
| 3.2 VO_2的开关特性测试 | 第41-44页 |
| 3.3 单元尺寸对开关特性影响 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 二氧化钒对相变单元的选通特性研究 | 第47-52页 |
| 4.1 实验设计 | 第47-48页 |
| 4.2 I-V测试结果 | 第48-50页 |
| 4.3 GST/VO_2异质结对VO_2阈值电压的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |