GaN基垂直结构LED用反射镜电极研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 GaN基发光二极管 | 第12-17页 |
| 1.1.1 GaN材料的结构与性质 | 第12-15页 |
| 1.1.2 GaN基LED的发展现状 | 第15-17页 |
| 1.2 GaN基垂直结构LED的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 垂直结构LED的反射镜电极 | 第19-23页 |
| 1.3.1 反射镜电极的特点 | 第19-20页 |
| 1.3.2 反射镜电极的研究进展 | 第20-21页 |
| 1.3.3 反射镜电极的技术难点 | 第21-23页 |
| 1.4 本文的主要工作及组织结构 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 电极生长工艺与表征方法 | 第27-37页 |
| 2.1 金属薄膜的制备 | 第27-30页 |
| 2.2 金属薄膜的退火 | 第30页 |
| 2.3 表征方法 | 第30-35页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| 2.3.2 俄歇电子能谱(AES) | 第32-33页 |
| 2.3.3 分光光度计 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 NiAg基反射镜电极的制备与分析 | 第37-62页 |
| 3.1 反射镜电极的形成机理 | 第37-40页 |
| 3.2 接触电阻率的测量方法 | 第40-43页 |
| 3.3 NiAg基电极的制备流程 | 第43-47页 |
| 3.4 NiAg基反射镜电极的测试结果与分析 | 第47-56页 |
| 3.4.1 退火对接触层光学性质的影响 | 第48-51页 |
| 3.4.2 退火对电学性质的影响 | 第51-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第四章 NiAl基反射镜电极的制备与分析 | 第62-76页 |
| 4.1 GaN基紫外LED | 第62-63页 |
| 4.2 NiAl基反射镜电极 | 第63-64页 |
| 4.3 NiAl基电极的制备流程 | 第64-66页 |
| 4.4 NiAl基反射镜电极的测试结果与分析 | 第66-72页 |
| 4.4.1 NiAg接触层退火的影响 | 第66-69页 |
| 4.4.2 整体退火的影响 | 第69-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 结论与展望 | 第76-79页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
