摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第13-35页 |
1.1 光伏行业发展现状 | 第13-15页 |
1.2 晶硅电池基本原理及技术工艺 | 第15-20页 |
1.2.1 晶硅太阳电池基本原理 | 第15-17页 |
1.2.2 晶硅电池技术工艺 | 第17-20页 |
1.3 晶硅组件封装材料及技术工艺 | 第20-22页 |
1.3.1 晶硅组件封装材料 | 第20-21页 |
1.3.2 晶硅组件技术工艺 | 第21-22页 |
1.4 光伏电站电位诱导衰减现象 | 第22-24页 |
1.5 国内外光伏电站PID研究现状 | 第24-30页 |
1.5.1 PID的影响因素及预防办法 | 第24-27页 |
1.5.2 PID现象的预防方法 | 第27-28页 |
1.5.3 PID现象现有机理 | 第28-30页 |
1.6 主要问题与研究内容 | 第30-32页 |
1.6.1 主要问题 | 第30-31页 |
1.6.2 研究内容 | 第31-32页 |
1.7 技术路线 | 第32-35页 |
第2章 试验过程与测试方法 | 第35-44页 |
2.1 试验材料 | 第35页 |
2.1.1 硅片 | 第35页 |
2.1.2 封装材料 | 第35页 |
2.2 电池和组件制备工艺 | 第35-37页 |
2.2.1 清洗工艺 | 第35-36页 |
2.2.2 扩散工艺 | 第36页 |
2.2.3 刻蚀工艺 | 第36页 |
2.2.4 镀膜工艺 | 第36页 |
2.2.5 丝印烧结工艺 | 第36-37页 |
2.2.6 组件封装工艺 | 第37页 |
2.3 测试方法 | 第37-44页 |
2.3.1 微观表征方法 | 第37页 |
2.3.2 电性能表征方法 | 第37-41页 |
2.3.3 可靠性表征方法 | 第41-42页 |
2.3.4 封装材料表征方法 | 第42-44页 |
第3章 晶硅缺陷对PID衰减影响的机理研究 | 第44-64页 |
3.1 晶硅位错缺陷密度对PID衰减的影响 | 第44-56页 |
3.1.1 不同位错缺陷样品选取及测试 | 第44页 |
3.1.2 位错缺陷密度对晶硅电池性能影响 | 第44-49页 |
3.1.3 位错缺陷密度对PID衰减的影响 | 第49-56页 |
3.2 晶硅微观隐裂大小对PID衰减的影响研究 | 第56-62页 |
3.2.1 不同隐裂样品选取及测试 | 第57页 |
3.2.2 硅片隐裂大小对PID衰减的影响 | 第57-62页 |
3.3 本章小结 | 第62-64页 |
第4章 晶硅电池工艺对PID衰减影响的机理研究 | 第64-99页 |
4.1 晶硅电池扩散工艺对PID衰减的影响 | 第64-70页 |
4.1.1 不同扩散工艺样品制备及测试 | 第64页 |
4.1.2 不同方阻发射极对晶硅电池性能的影响 | 第64-67页 |
4.1.3 不同方阻发射极对PID衰减的影响 | 第67-70页 |
4.2 晶硅电池钝化膜工艺对PID衰减的影响 | 第70-97页 |
4.2.1 不同电池钝化膜工艺样品制备及测试 | 第73页 |
4.2.2 不同钝化膜沉积方式对PID衰减的影响 | 第73-82页 |
4.2.3 单层氮化硅钝化膜对PID衰减的影响 | 第82-89页 |
4.2.4 单层氧化硅钝化膜对PID衰减的影响 | 第89-91页 |
4.2.5 双层钝化膜氧化硅/氮化硅膜对PID衰减的影响 | 第91-97页 |
4.3 本章小结 | 第97-99页 |
第5章 封装材料对PID衰减影响的机理研究 | 第99-125页 |
5.1 不同封装材料对PID衰减影响的研究 | 第99-102页 |
5.1.1 不同封装材料样品选取及测试 | 第99页 |
5.1.2 不同封装材料PID测试后电性能的变化 | 第99-102页 |
5.2 EVA材料对PID衰减影响的研究 | 第102-123页 |
5.2.1 不同EVA材料制备及测试 | 第103-104页 |
5.2.2 偶联剂含量对EVA材料抗PID衰减的影响 | 第104-111页 |
5.2.3 交联剂含量对EVA材料抗PID衰减的影响 | 第111-117页 |
5.2.4 助交联剂含量对EVA材料抗PID衰减的影响 | 第117-123页 |
5.3 本章小结 | 第123-125页 |
第6章 总结 | 第125-127页 |
6.1 本论文的主要结论 | 第125-126页 |
6.2 本论文的主要创新点 | 第126页 |
6.3 展望 | 第126-127页 |
参考文献 | 第127-132页 |
攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第132-133页 |
致谢 | 第133页 |