IGBT用硅外延片的优化与实现
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-9页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第9-11页 |
| 第二章 IGBT的基本结构及硅外延的生长技术概述 | 第11-29页 |
| 2.1 IGBT基本结构 | 第11-13页 |
| 2.2 IGBT基本工作原理 | 第13-14页 |
| 2.3 IGBT用外延材料的要求 | 第14-15页 |
| 2.4 硅外延技术概述 | 第15-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 IGBT用硅外延的生长技术研究 | 第29-45页 |
| 3.1 厚度非均匀性的研究 | 第29-31页 |
| 3.2 电阻率非均匀性的研究 | 第31-39页 |
| 3.3 外延生长设备 | 第39-40页 |
| 3.4 外延材料优化 | 第40-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 实验及结果分析 | 第45-57页 |
| 4.1 测试设备及测试原理 | 第45-49页 |
| 4.2 MSA测试系统管理 | 第49-50页 |
| 4.3 结果及分析 | 第50-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
