二维硫化钼薄膜的制备及其掺杂特性的研究

摘要	第4-6页
Abstract	第6-7页
1 绪论	第10-19页
1.1 研究背景与意义	第10-11页
1.2 TMDS的结构及应用	第11-13页
1.3 TMDS的制备方法	第13-15页
1.4 TMDS的掺杂方法	第15-17页
1.5 论文的主要研究内容	第17-19页
2 氧掺杂硫化钼器件的制备方法及表征手段	第19-27页
2.1 硫化钼薄膜的制备方法	第19页
2.2 硫化钼薄膜的掺杂方法	第19-20页
2.3 硫化钼薄膜微电子器件的制备流程	第20-21页
2.4 硫化钼薄膜的表征及器件的测试	第21-26页
2.5 MATERIALSSTUDIO软件	第26-27页
3 硫化钼薄膜的可控制备及表征	第27-37页
3.1 MoO_3蒸汽的分布模型	第27-30页
3.2 MoO_3分布模型的实验验证	第30-32页
3.3 MoO_3分布模型的应用	第32-34页
3.4 MoS_2薄膜的表征分析	第34-36页
3.5 本章小结	第36-37页
4 硫化钼薄膜的p型掺杂及其电子器件的制备	第37-51页
4.1 MS软件模拟氧掺杂MoS_2的电子结构	第37-41页
4.2 环形磁场调控下氧等离子体的成分分析	第41页
4.3 等离子体掺杂MoS_2薄膜的表征	第41-46页
4.4 氧掺杂MoS_2薄膜的微电子器件	第46-49页
4.5 本章小结	第49-51页
5 总结与展望	第51-53页
5.1 全文总结	第51-52页
5.2 课题展望	第52-53页
致谢	第53-54页
参考文献	第54-60页
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文	第60-62页
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利	第62页