机电引信抗电磁干扰分析及实验研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 电磁武器发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 引信的电磁抗干扰研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.3 器件的电磁抗干扰研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 论文的主要研究内容和章节安排 | 第14-16页 |
| 2 电磁场辐射机理分析 | 第16-24页 |
| 2.1 电磁场的麦克斯韦方程组 | 第16-19页 |
| 2.1.1 电磁场理论的发展历史 | 第16-17页 |
| 2.1.2 麦克斯韦方程组的积分形式 | 第17-18页 |
| 2.1.3 麦克斯韦方程组的微分形式 | 第18页 |
| 2.1.4 电磁场的边界条件 | 第18-19页 |
| 2.2 屏蔽效能SE | 第19-22页 |
| 2.3 电磁能量的耦合途径 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 强电磁辐射下引信腔内电场特性研究 | 第24-36页 |
| 3.1 有限元法及HFSS软件的介绍 | 第24-27页 |
| 3.1.1 有限元法 | 第24-25页 |
| 3.1.2 电磁场仿真软件HFSS | 第25-27页 |
| 3.2 引信屏蔽体近似模型的建立 | 第27-30页 |
| 3.2.1 弹体近似模型 | 第27-28页 |
| 3.2.2 引信近似模型 | 第28页 |
| 3.2.3 电子电路模型 | 第28-29页 |
| 3.2.4 总体模型 | 第29-30页 |
| 3.3 引信腔内屏蔽效能的影响因素分析 | 第30-34页 |
| 3.3.1 引信和电路板对屏蔽效能的影响 | 第30页 |
| 3.3.2 引信材料对屏蔽效能的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.3 引信表面贯穿导线对屏蔽效能的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.4 引信内部电场强度分布情况 | 第32-34页 |
| 3.4 仿真结果分析 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 敏感器件损伤效应机理研究 | 第36-55页 |
| 4.1 电磁辐射耦合效能分析 | 第36-38页 |
| 4.2 半导体器件的电磁损伤机理 | 第38-39页 |
| 4.3 典型半导体器件的电磁损伤仿真 | 第39-52页 |
| 4.3.1 脉冲电压作用下二极管的损伤研究 | 第39-47页 |
| 4.3.2 脉冲电压作用下NMOS管的损伤研究 | 第47-52页 |
| 4.4 仿真结果分析 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 强电场辐照下引信干扰实验研究 | 第55-63页 |
| 5.1 实验系统 | 第55-59页 |
| 5.1.1 实验对象与装置 | 第55-59页 |
| 5.1.2 实验方法 | 第59页 |
| 5.2 实验结果 | 第59-60页 |
| 5.3 实验结果分析 | 第60页 |
| 5.4 引信设计上的抗干扰优化方法 | 第60-61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 6 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63-64页 |
| 6.2 不足及展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 附录 | 第72页 |
