| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 光电阴极发展概述 | 第8-11页 |
| 1.2 GaSb光电阴极国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 光电阴极的在探测领域的应用 | 第14-16页 |
| 1.4 论文研究意义 | 第16-17页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 GaSb光电阴极的光电发射理论 | 第19-35页 |
| 2.1 GaSb光电阴极的光电发射过程 | 第19-20页 |
| 2.2 GaSb光电阴极特性参数模拟 | 第20-27页 |
| 2.2.1 光吸收系数 | 第20-22页 |
| 2.2.2 少子扩散长度 | 第22-25页 |
| 2.2.3 GaSb吸收层和GaAs发射层异质结界面能带结构和偏压计算 | 第25-27页 |
| 2.3 GaSb光电阴极的量子效率理论模型 | 第27-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 GaSb/GaAs外延层制备及测试研究 | 第35-48页 |
| 3.1 锑化物MOCVD外延技术介绍 | 第35-36页 |
| 3.2 MOCVD法制备GaSb薄膜的技术研究 | 第36-41页 |
| 3.2.1 生长温度对GaSb外延层质量的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.2 MO源气相V/III对GaSb外延层质量的影响 | 第40-41页 |
| 3.3 p型掺杂GaSb外延层制备及测试 | 第41-47页 |
| 3.3.1 p型掺杂GaSb外延层制备及质量测试 | 第42-43页 |
| 3.3.2 p型掺杂GaSb外延层光电性能测试分析 | 第43-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 变掺杂GaSb外延层制备及光电性能测试 | 第48-56页 |
| 4.1 非指数形式变掺杂GaSb外延层制备及光电性能测试 | 第48-52页 |
| 4.1.1 变掺杂结构的表面光电压测试理论分析 | 第48-49页 |
| 4.1.2 变掺杂GaSb外延层制备与表面光电压谱测试 | 第49-52页 |
| 4.2 指数形式变掺杂GaSb外延层制备及光电性能测试 | 第52-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第56-57页 |
| 5.2 有待进一步完善的工作 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 硕士期间学术成果情况 | 第62页 |
