| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体功率器件概述 | 第9-10页 |
| 1.2 IGBT的发展概述 | 第10-14页 |
| 1.3 本论文的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第15-17页 |
| 第二章 IGBT的基本理论 | 第17-28页 |
| 2.1 IGBT基本器件结构 | 第17-19页 |
| 2.2 IGBT的静态特性 | 第19-24页 |
| 2.2.1 正向阻断特性 | 第20-21页 |
| 2.2.2 反向阻断特性 | 第21-22页 |
| 2.2.3 正向导通特性 | 第22-23页 |
| 2.2.4 电流饱和特性 | 第23-24页 |
| 2.3 IGBT的动态特性 | 第24-27页 |
| 2.3.1 开通过程 | 第24-26页 |
| 2.3.2 关断过程 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 整晶圆IGBT元胞与终端仿真优化设计 | 第28-40页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第28-29页 |
| 3.2 整晶圆IGBT器件元胞仿真设计与优化 | 第29-35页 |
| 3.2.1 整晶圆IGBT的N型漂移区设计与仿真优化 | 第29-30页 |
| 3.2.2 整晶圆IGBT的P基区设计与仿真优化 | 第30-31页 |
| 3.2.3 整晶圆IGBT的P~+深阱设计与仿真优化 | 第31-33页 |
| 3.2.4 整晶圆IGBT的集电极峰值浓度设计与仿真优化 | 第33页 |
| 3.2.5 整晶圆IGBT的元胞尺寸设计 | 第33-35页 |
| 3.3 整晶圆IGBT器件终端结构设计 | 第35-38页 |
| 3.3.1 终端理论分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 终端设计与仿真优化 | 第36-38页 |
| 3.4 整晶圆IGBT关断特性仿真 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 整晶圆IGBT版图优化设计 | 第40-52页 |
| 4.1 整晶圆IGBT版图设计思想 | 第40-43页 |
| 4.1.1 传统IGBT晶圆简介 | 第40-41页 |
| 4.1.2 整晶圆IGBT设计思路 | 第41-43页 |
| 4.2 整晶圆IGBT版图优化设计背景 | 第43-45页 |
| 4.3 第一套整晶圆IGBT版图优化设计 | 第45-49页 |
| 4.4 第二套整晶圆IGBT版图优化设计 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 整晶圆IGBT流片测试与结果分析 | 第52-60页 |
| 5.1 第一套版图流片结果测试与分析 | 第52-57页 |
| 5.2 第二套版图流片结果测试与分析 | 第57-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录 攻读学位期间取得的研究成果 | 第67页 |
