| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-25页 |
| 1.1 影响界面结合性能的因素 | 第7-8页 |
| 1.2 界面结合力的常用测试方法 | 第8-9页 |
| 1.2.1 剥离法 | 第8页 |
| 1.2.2 压痕法 | 第8-9页 |
| 1.2.3 划痕法 | 第9页 |
| 1.3 二氧化钛薄膜的特点及应用 | 第9-13页 |
| 1.3.1 二氧化钛的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.3.2 二氧化钛薄膜的应用 | 第10-13页 |
| 1.4 二氧化钛薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.4.1 溶胶-凝胶法 | 第13页 |
| 1.4.2 分子束外延法 | 第13-14页 |
| 1.4.3 离子镀膜法 | 第14页 |
| 1.4.4 热喷涂法 | 第14页 |
| 1.4.5 化学气相沉积 | 第14页 |
| 1.4.6 磁控溅射法 | 第14-15页 |
| 1.5 磁控溅射法 | 第15-17页 |
| 1.5.1 磁控溅射法发展历史 | 第15页 |
| 1.5.2 磁控溅射工艺原理 | 第15-16页 |
| 1.5.3 磁控溅射工艺分类 | 第16-17页 |
| 1.6 单晶硅的自然氧化现象 | 第17页 |
| 1.7 本课题的研究现状 | 第17-23页 |
| 1.7.1 薄膜与基体结合状态的研究现在 | 第17-19页 |
| 1.7.2 几何相位分析法(GPA)的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.8 本课题的研究意义及主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 二氧化钛薄膜的制备及表征方法 | 第25-29页 |
| 2.1 阴极靶材的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 烧结(粉末) | 第25页 |
| 2.1.2 研磨 | 第25页 |
| 2.1.3 过筛 | 第25页 |
| 2.1.4 加湿 | 第25页 |
| 2.1.5 压片 | 第25-26页 |
| 2.1.6 烘干 | 第26页 |
| 2.1.7 烧结(靶材) | 第26页 |
| 2.2 磁控溅射镀膜 | 第26-27页 |
| 2.2.1 镀膜参数 | 第26页 |
| 2.2.2 退火 | 第26-27页 |
| 2.3 表征方法 | 第27-29页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD)实验测定晶体结构 | 第27页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱(XPS)测定化学组成 | 第27页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM)观察覆膜试样表面形貌 | 第27页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM)观测界面结构及应变分析 | 第27-29页 |
| 第三章 实验结果与讨论 | 第29-39页 |
| 3.1 界面的表征与分析 | 第29-31页 |
| 3.1.1 界面区域的元素分布 | 第29-30页 |
| 3.1.2 界面区域的结构组成 | 第30-31页 |
| 3.2 表面的表征与分析 | 第31-38页 |
| 3.2.1 原子力显微镜(AFM)分析 | 第31-32页 |
| 3.2.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第32-35页 |
| 3.2.3 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第35-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 单晶硅与非晶二氧化硅界面结合状态分析 | 第39-49页 |
| 4.1 单晶硅/非晶二氧化硅界面(一)应力状态分析 | 第39-43页 |
| 4.2 单晶硅/非晶二氧化硅界面(二)应力状态分析 | 第43-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 二氧化钛与非晶二氧化硅界面结合状态分析 | 第49-59页 |
| 5.1 金红石结构/非晶二氧化硅界面应力状态分析 | 第49-53页 |
| 5.2 锐钛矿结构/非晶二氧化硅界面应力状态分析 | 第53-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
