摘要 | 第15-17页 |
Abstract | 第17-19页 |
第一章 绪论 | 第20-42页 |
1.1 课题研究背景 | 第20-23页 |
1.1.1 高超声速飞行器热环境及热防护技术 | 第20-22页 |
1.1.2 高超声速飞行器对热防护材料的性能及制备技术要求 | 第22-23页 |
1.2 高温热防护材料研究现状 | 第23-30页 |
1.2.1 C_f/SiC复合材料 | 第24-25页 |
1.2.2 超高温陶瓷及其复合材料 | 第25-30页 |
1.3 连续纤维增强超高温陶瓷基复合材料研究进展 | 第30-36页 |
1.3.1 先驱体浸渍裂解工艺(PIP) | 第30-33页 |
1.3.2 反应熔融浸渗工艺(RMI) | 第33-34页 |
1.3.3 浆料浸渍工艺(SI) | 第34页 |
1.3.4 化学气相渗透工艺(CVI) | 第34-35页 |
1.3.5 混合工艺 | 第35-36页 |
1.4 超高温陶瓷先驱体研究进展 | 第36-40页 |
1.4.1 有机金属先驱体法(Organometallicroute) | 第36-38页 |
1.4.2 溶胶-凝胶法(Sol-gelroute) | 第38-40页 |
1.5 选题依据与研究内容 | 第40-42页 |
1.5.1 选题依据 | 第40页 |
1.5.2 研究内容 | 第40-42页 |
第二章 实验过程与研究方法 | 第42-50页 |
2.1 论文总体研究方案 | 第42页 |
2.2 主要实验原料及试剂 | 第42-44页 |
2.2.1 增强体 | 第42-43页 |
2.2.2 试剂 | 第43-44页 |
2.3 先驱体转化制备超高温陶瓷 | 第44页 |
2.3.1 先驱体转化制备MC(M=Zr,Hf,HfxZr1-x)超高温陶瓷 | 第44页 |
2.3.2 先驱体转化制备MB2(M=Zr,Hf,HfxZr1-x)超高温陶瓷 | 第44页 |
2.4 C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)陶瓷基复合材料制备 | 第44-45页 |
2.4.1 CVD制备界面改性PyC、SiC涂层 | 第45页 |
2.4.2 PIP工艺制备C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)复合材料 | 第45页 |
2.4.3 PIP+VSI工艺制备C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)复合材料 | 第45页 |
2.5 分析与表征 | 第45-50页 |
2.5.1 组成、结构与形貌分析 | 第45-46页 |
2.5.2 性能测试 | 第46-50页 |
第三章 超高温陶瓷先驱体的制备及陶瓷转化研究 | 第50-87页 |
3.1 超高温陶瓷先驱体的碳源选择 | 第50-57页 |
3.1.1 酒石酸-乙二醇-ZrOCl_2·8H_2O体系 | 第51-54页 |
3.1.2 苹果酸-乙二醇-ZrOCl_2·8H_2O体系 | 第54-56页 |
3.1.3 柠檬酸-乙二醇-ZrOCl_2·8H_2O体系 | 第56-57页 |
3.2 碳化锆陶瓷先驱体的制备及陶瓷转化研究 | 第57-69页 |
3.2.1 ZrC陶瓷先驱体的化学结构研究 | 第57-64页 |
3.2.2 ZrC陶瓷先驱体的陶瓷转化研究 | 第64-67页 |
3.2.3 ZrC纳米颗粒的生成机理研究 | 第67-69页 |
3.3 碳化铪及锆铪三元碳化物陶瓷先驱体的制备及陶瓷转化研究 | 第69-72页 |
3.4 硼化锆陶瓷先驱体的制备及陶瓷转化研究 | 第72-84页 |
3.4.1 ZrB2陶瓷先驱体化学结构研究 | 第73-77页 |
3.4.2 ZrB2陶瓷先驱体的陶瓷转化研究 | 第77-79页 |
3.4.3 ZrB2的生成机理研究 | 第79-84页 |
3.5 硼化铪及锆铪三元硼化物陶瓷先驱体的制备及陶瓷转化研究 | 第84-85页 |
3.6 本章小结 | 第85-87页 |
第四章 C_f/ZrC-SiC陶瓷基复合材料的制备及性能研究 | 第87-127页 |
4.1 C_f/ZrC复合材料的PIP制备工艺及性能研究 | 第87-92页 |
4.2 PIP工艺制备C_f/ZrC-SiC复合材料的界面调控研究 | 第92-98页 |
4.2.1 CVDPyC涂层改性制备C_f/ZrC-SiC复合材料 | 第92-97页 |
4.2.2 CVDSiC涂层改性制备C_f/ZrC-SiC复合材料 | 第97-98页 |
4.3 纤维预制件结构和参数对C_f/ZrC-SiC复合材料性能的影响 | 第98-101页 |
4.3.1 纤维预制件结构对C_f/ZrC-SiC复合材料性能的影响 | 第99-100页 |
4.3.2 三维四向编织物纱线细度对C_f/ZrC-SiC复合材料性能影响 | 第100-101页 |
4.4 SiC:ZrC体积比对3D4d-1C_f/ZrC-SiC复合材料性能的影响 | 第101-107页 |
4.5 SiC:ZrC体积比对3D5d-2C_f/ZrC-SiC复合材料性能的影响 | 第107-114页 |
4.6 C_f/ZrC-SiC复合材料的PIP+VSI制备工艺及性能研究 | 第114-125页 |
4.7 本章小结 | 第125-127页 |
第五章 C_f/HfC-SiC陶瓷基复合材料的制备及性能研究 | 第127-148页 |
5.1 SiC:HfC体积比对3D4d-1C_f/HfC-SiC复合材料性能的影响 | 第127-131页 |
5.2 SiC:HfC体积比对3D5d-2C_f/HfC-SiC复合材料性能的影响 | 第131-140页 |
5.3 C_f/HfC-SiC复合材料的PIP+VSI制备工艺及性能研究 | 第140-146页 |
5.4 本章小结 | 第146-148页 |
第六章 C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)陶瓷基复合材料的烧蚀行为和机理研究 | 第148-180页 |
6.1 PIP工艺制备的C_f/MC-SiC复合材料的烧蚀行为和机理研究 | 第148-163页 |
6.1.1 C/C的烧蚀行为研究 | 第149-150页 |
6.1.2 C_f/SiC的烧蚀行为研究 | 第150-152页 |
6.1.3 C_f/ZrC和C_f/ZrC-SiC的烧蚀行为研究 | 第152-156页 |
6.1.4 C_f/HfC和C_f/HfC-SiC的烧蚀行为研究 | 第156-161页 |
6.1.5 C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)复合材料的烧蚀机理和模型 | 第161-163页 |
6.2 PIP+VSI工艺制备的C_f/MC-SiC复合材料的烧蚀行为和机理研究 | 第163-172页 |
6.2.1 C_f/SiC的烧蚀行为研究 | 第163-165页 |
6.2.2 C_f/ZrC-SiC的烧蚀行为研究 | 第165-168页 |
6.2.3 C_f/HfC-SiC的烧蚀行为研究 | 第168-171页 |
6.2.4 C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)复合材料的烧蚀机理 | 第171-172页 |
6.3 C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)典型模拟构件制备及等离子体风洞考核 | 第172-178页 |
6.3.1 C_f/MC-SiC(M=Zr,Hf)复合材料的典型模拟构件制备 | 第172-174页 |
6.3.2 C_f/ZrC-SiC复合材料端头帽等离子体风洞考核 | 第174-178页 |
6.4 本章小结 | 第178-180页 |
第七章 结论与展望 | 第180-184页 |
7.1 结论 | 第180-182页 |
7.2 论文创新点 | 第182-183页 |
7.3 工作展望 | 第183-184页 |
致谢 | 第184-185页 |
参考文献 | 第185-199页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第199-200页 |