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过渡金属OsSi分子电子结构和光谱参数的理论研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 课题研究现状第11-12页
    1.3 课题研究意义和内容第12-16页
        1.3.1 课题的研究意义第12-13页
        1.3.2 研究课题主要内容第13-16页
第二章 理论基础第16-34页
    2.1 基于波函数理论第17-19页
        2.1.1 分子轨道理论第17-18页
        2.1.2 Hartree-Fock(HF)方法第18-19页
    2.2 电子相关能第19-28页
        2.2.1 组态相互作用(CI)第20-21页
        2.2.2 空穴-粒子对称的图形酉群方法(GUGA)第21-24页
            2.2.2.1 空穴-粒子对称的图形酉群方法在MRCI的应用第22-23页
            2.2.2.2 基于空穴-粒子对偶的内收缩MRPT2理论第23-24页
        2.2.3 完全活性空间二阶微扰方法(CASPT2)第24-25页
        2.2.4 N-电子价态二阶微扰理论(NEVPT2)第25-28页
    2.3 相对论效应第28-34页
        2.3.1 相对论效应第28-30页
        2.3.2 基组的选择第30-31页
        2.3.3 自旋轨道耦合效应第31-34页
第三章 OsSi分子电子结构与和光谱的研究第34-52页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 方法和计算细节第35-36页
    3.3 结果和讨论第36-51页
        3.3.1 Os原子和Si原子的原子态第36-37页
        3.3.2 DKH2和DKH3、X2C计算结果比较第37-40页
        3.3.3 MS-CASPT2和MS-NEVPT2两种方法计算结果比较第40-43页
        3.3.4 OsSi分子价键轨道、键能以及低激发态分析第43-44页
        3.3.5 理论计算解释实验可见光谱第44-47页
        3.3.6 自旋轨道耦合结果第47-51页
    3.4 本章小结第51-52页
第四章 OsC分子基态的研究第52-58页
    4.1 OsC研究背景介绍第52-53页
    4.2 方法和计算细节第53页
    4.3 结果和讨论第53-56页
        4.3.1 SA-CASSCF、MS-NEVPT2和MS-CASPT2计算结果比较第53-55页
        4.3.2 自旋轨道耦合结果第55-56页
    4.4 本章小结第56-58页
总结与展望第58-60页
参考文献第60-66页
攻读硕士学位期间取得的科研成果第66-68页
致谢第68-69页

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