| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 高压薄层SOI LDMOS器件的可靠性机理 | 第11-17页 |
| 1.2.1 热载流子注入对器件可靠性的影响 | 第11-13页 |
| 1.2.2 自热效应对器件可靠性的影响 | 第13-15页 |
| 1.2.3 界面电荷对器件可靠性的影响 | 第15-16页 |
| 1.2.4 其他可靠性机理 | 第16-17页 |
| 1.3 国内外发展动态和研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 SOI高压薄层场PLDMOS器件可靠性研究 | 第19-44页 |
| 2.1 SOI高压薄层场PLDMOS器件结构及工作环境 | 第19-21页 |
| 2.2 热载流子注入对器件可靠性的影响 | 第21-27页 |
| 2.3 自热效应对器件特性的影响 | 第27-36页 |
| 2.3.1 静态自热效应对器件参数的影响 | 第30-33页 |
| 2.3.2 动态自热效应对器件可靠性的影响 | 第33-36页 |
| 2.4 氧化层界面电荷对可靠性的影响 | 第36-42页 |
| 2.4.1 界面电荷对击穿电压的影响 | 第37-39页 |
| 2.4.2 界面电荷对阈值电压的影响 | 第39-40页 |
| 2.4.3 界面电荷对导通电阻的影响 | 第40-42页 |
| 2.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 SOI高压薄层NLDMOS器件可靠性研究 | 第44-57页 |
| 3.1 NLDMOS器件结构及特性分析 | 第44-48页 |
| 3.1.1 漂移区浓度与耐压的关系 | 第45-47页 |
| 3.1.2 埋氧厚度与耐压的关系 | 第47-48页 |
| 3.2 器件的自热效应 | 第48-53页 |
| 3.2.1 静态工作下的自热效应 | 第48-50页 |
| 3.2.2 动态工作下的自热效应 | 第50-53页 |
| 3.3 器件的热载流子注入效应 | 第53-55页 |
| 3.4 本章总结 | 第55-57页 |
| 第四章 减小热载流子注入的新结构研究 | 第57-65页 |
| 4.1 轻掺杂结构 | 第57-61页 |
| 4.2 氧化层介电常数的变化 | 第61-64页 |
| 4.3 本章总结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
