中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-36页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 表面在位化学概述 | 第12-26页 |
1.2.1 表面在位化学的发展 | 第12-14页 |
1.2.2 表面在位化学的分类 | 第14-22页 |
1.2.3 表面在位化学的表征 | 第22-26页 |
1.3 碳氢键活化反应概述 | 第26-34页 |
1.3.1 传统化学反应中的碳氢键活化反应简介 | 第26-30页 |
1.3.2 表面在位化学中的碳氢键活化反应概述 | 第30-34页 |
1.4 论文的选题意义及研究内容 | 第34-36页 |
第二章 实验方法 | 第36-42页 |
2.1 实验条件及仪器 | 第36-38页 |
2.1.1 超高真空及低温系统 | 第36-37页 |
2.1.2 扫描隧道显微镜系统 | 第37-38页 |
2.1.3 非接触式原子力显微镜 | 第38页 |
2.2 实验样品制备 | 第38-40页 |
2.2.1 金属单晶基底的制备 | 第38页 |
2.2.2 有机分子样品的制备 | 第38-40页 |
2.3 X射线光电子能谱实验 | 第40页 |
2.4 密度泛函理论计算 | 第40-42页 |
第三章 通过乙酰基的C-H键活化实现二聚和环三聚反应 | 第42-57页 |
3.1 引言 | 第42-43页 |
3.2 结果与讨论 | 第43-56页 |
3.2.1 TAPB分子在金属表面的自组装 | 第43-46页 |
3.2.2 TAPB分子在Ag(111)表面的聚合反应 | 第46-49页 |
3.2.3 密度泛函理论计算研究 | 第49-51页 |
3.2.4 反应前后的XPS实验分析 | 第51-52页 |
3.2.5 高覆盖度及不同金属表面的产物分析 | 第52-53页 |
3.2.6 通过单取代分子APDB合成三聚体 | 第53-56页 |
3.3 本章小结 | 第56-57页 |
第四章 C-H键活化诱导的醚转化为酚的脱烷基化反应 | 第57-71页 |
4.1 引言 | 第57-58页 |
4.2 结果与讨论 | 第58-70页 |
4.2.1 TDPB分子在Au(111)表面的自组装 | 第58-59页 |
4.2.2 TDPB分子在Au(111)表面的脱烷基化反应 | 第59-61页 |
4.2.3 脱烷基化反应的XPS实验分析 | 第61-62页 |
4.2.4 TDPB分子完全脱烷基化反应后的产物分析 | 第62-63页 |
4.2.5 DHQP分子的脱烷基化反应研究 | 第63-64页 |
4.2.6 DFT计算研究脱烷基化反应的路径 | 第64-66页 |
4.2.7 其他金属基底上的脱烷基化反应 | 第66-70页 |
4.3 本章小结 | 第70-71页 |
第五章 表面控制的单/双边选择性邻位C-H键活化 | 第71-88页 |
5.1 引言 | 第71-72页 |
5.2 结果与讨论 | 第72-87页 |
5.2.1 THPB分子在Au(111)表面的自组装 | 第72-73页 |
5.2.2 THPB分子在金属表面的偶联反应 | 第73-76页 |
5.2.3 DFT理论计算 | 第76-80页 |
5.2.4 金属催化的表面反应XPS实验研究 | 第80-81页 |
5.2.5 DHQP分子在金银表面的反应产物 | 第81-83页 |
5.2.6 双组份在金银表面的反应产物 | 第83-84页 |
5.2.7 通过新型表面反应实现苯基醚直接合成联苯类分子 | 第84-87页 |
5.3 本章小结 | 第87-88页 |
第六章 苯酚衍生物在银表面的C-H键活化反应诱导的手性转移 | 第88-108页 |
6.1 引言 | 第88-89页 |
6.2 结果与讨论 | 第89-106页 |
6.2.1 THPB分子在Ag(111)表面脱氢相变及邻位碳碳偶联反应 | 第89-93页 |
6.2.2 DHBP分子在Ag(111)表面受热脱氢相变及碳碳偶联反应 | 第93-96页 |
6.2.3 利用DHBP分子在Ag(100)表面实现中间态诱导的手性合成 | 第96-105页 |
6.2.4 DFT计算 | 第105-106页 |
6.3 本章小结 | 第106-108页 |
第七章 铜表面的可控连续活化脱氢反应 | 第108-134页 |
7.1 引言 | 第108-109页 |
7.2 结果与讨论 | 第109-132页 |
7.2.1 DATP分子在Cu(111)表面活化脱氢形成N-Cu金属有机复合物 | 第109-113页 |
7.2.2 DATP分子通过C-H键活化形成C-Cu金属有机复合物 | 第113-115页 |
7.2.3 XPS实验分析确定结构模型 | 第115-117页 |
7.2.4 利用nc-AFM在单键水平上验证产物结构 | 第117-119页 |
7.2.5 DFT理论计算 | 第119-123页 |
7.2.6 DATP分子在Cu(100)表面的分步脱氢反应 | 第123-125页 |
7.2.7 DBP分子在铜表面的分步脱氢反应 | 第125-127页 |
7.2.8 TAB分子在铜表面的分步脱氢反应 | 第127-132页 |
7.3 本章小结 | 第132-134页 |
结论 | 第134-136页 |
参考文献 | 第136-160页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第160-162页 |
致谢 | 第162-165页 |