摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-31页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 TADF材料的发光原理 | 第12-14页 |
1.3 TADF材料的动力学过程 | 第14-15页 |
1.4 各类TADF材料的研究进展 | 第15-28页 |
1.4.1 含砜基吸电基团的TADF材料 | 第16-19页 |
1.4.2 含羰基吸电基团的TADF材料 | 第19-22页 |
1.4.3 含氰基和含氮杂环吸电基团的TADF材料 | 第22-28页 |
1.5 本论文的研究内容与创新之处 | 第28-31页 |
1.5.1 本论文的研究内容 | 第28-29页 |
1.5.2 本论文的创新之处 | 第29-31页 |
第二章 基于吡嗪受体单元的热活化延迟荧光材料的构型差异化研究及其光电性能. | 第31-47页 |
2.1 引言 | 第31-32页 |
2.2 实验部分 | 第32-35页 |
2.2.1 材料的合成 | 第32-34页 |
2.2.2 材料的表征 | 第34-35页 |
2.2.3 OLED器件的制作与表征 | 第35页 |
2.3 结果与讨论 | 第35-46页 |
2.3.1 密度泛函理论计算 | 第35-37页 |
2.3.2 热稳定性与电化学特性 | 第37-38页 |
2.3.3 光物理性能 | 第38-42页 |
2.3.4 OLED器件性能 | 第42-46页 |
2.4 本章小结 | 第46-47页 |
第三章 咔唑及其衍生物取代的氮杂环分子在低滚降热活化延迟荧光器件中的应用. | 第47-70页 |
3.1 引言 | 第47-48页 |
3.2 实验部分 | 第48-52页 |
3.2.1 材料的表征 | 第48-49页 |
3.2.2 器件的制作与表征 | 第49页 |
3.2.3 材料的合成 | 第49-52页 |
3.3 结果与讨论 | 第52-69页 |
3.3.1 密度泛函理论计算 | 第52-54页 |
3.3.2 热稳定性与电化学特性 | 第54-57页 |
3.3.3 光物理性能 | 第57-62页 |
3.3.4 OLED器件性能 | 第62-69页 |
3.4 本章小结 | 第69-70页 |
结论 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-80页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
附件 | 第82页 |