| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 半导体光催化原理 | 第12-13页 |
| 1.3 传统光催化材料及其存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.4 改性半导体光催化性能的方法 | 第14页 |
| 1.5 新型光催化材料及其研究现状 | 第14-15页 |
| 1.6 钒酸银(Ag_3VO_4)的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.7 密度泛函理论简介与模拟方法介绍 | 第16-17页 |
| 1.8 本文研究意义及内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-28页 |
| 第二章 实验试剂与方法 | 第28-34页 |
| 2.1 试剂与药品 | 第28-29页 |
| 2.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.3 测试与表征方法 | 第30-33页 |
| 2.3.1 物相结构测试 | 第30页 |
| 2.3.2 形貌表征 | 第30页 |
| 2.3.3 成分、价态分析 | 第30-31页 |
| 2.3.4 光电性能测试 | 第31页 |
| 2.3.5 光催化性能测试 | 第31-32页 |
| 2.3.6 电子结构计算 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 超声辅助制备Ag2O/Ag_3VO_4及其可见光催化性能研究 | 第34-54页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35页 |
| 3.2.1 Ag_3VO_4样品的制备 | 第35页 |
| 3.2.2 Ag2O/Ag_3VO_4样品的制备 | 第35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-47页 |
| 3.3.1 结构与形貌分析 | 第35-37页 |
| 3.3.2 光学吸收及表面化学分析 | 第37-41页 |
| 3.3.3 比表面积测试分析 | 第41-42页 |
| 3.3.4 电化学测试分析 | 第42页 |
| 3.3.5 光催化性能测试 | 第42-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 第四章 超声辅助合成g-C_3N_4/Ag_3VO_4及其光催化性能研究 | 第54-73页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 实验部分 | 第55页 |
| 4.2.1 g-C_3N_4样品的制备 | 第55页 |
| 4.2.2 g-C_3N_4/Ag_3VO_4样品的制备 | 第55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-64页 |
| 4.3.1 结构与形貌分析 | 第55-57页 |
| 4.3.2 光学吸收及表面化学分析 | 第57-60页 |
| 4.3.3 比表面积测试分析 | 第60页 |
| 4.3.4 电化学测试分析 | 第60-61页 |
| 4.3.5 光催化性能测试 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 第五章 Nb、Ta掺杂Ag_3VO_4的第一性原理研究 | 第73-102页 |
| 5.1 引言 | 第73页 |
| 5.2 Ag_3VO_4的电子结构 | 第73-75页 |
| 5.3 对不同浓度Nb掺杂Ag_3VO_4的电子结构的研究 | 第75-86页 |
| 5.3.1 Nb掺杂浓度为12.5%的电子结构 | 第76-78页 |
| 5.3.2 Nb掺杂浓度为25%的电子结构 | 第78-81页 |
| 5.3.3 Nb掺杂浓度为37.5%的电子结构 | 第81-83页 |
| 5.3.4 结果对比讨论 | 第83-86页 |
| 5.4 对不同浓度Ta掺杂Ag_3VO_4的电子结构的研究 | 第86-97页 |
| 5.4.1 Ta掺杂浓度为12.5%的电子结构 | 第86-89页 |
| 5.4.2 Ta掺杂浓度为25%的电子结构 | 第89-91页 |
| 5.4.3 Ta掺杂浓度为37.5%的电子结构 | 第91-94页 |
| 5.4.4 结果对比讨论 | 第94-97页 |
| 5.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-104页 |
| 硕士期间科研成果 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
