摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-25页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 钽酸盐、铌酸盐半导体光催化材料的研究进展 | 第13-15页 |
1.2.1 钽酸盐半导体催化剂 | 第13-14页 |
1.2.2 铌酸盐半导体催化剂 | 第14-15页 |
1.3 催化剂的本征缺陷及改性 | 第15-16页 |
1.3.1 本征缺陷 | 第15页 |
1.3.2 催化剂的改性 | 第15-16页 |
1.4 密度泛函理论基础 | 第16-19页 |
1.4.1 Hartree-Fock近似 | 第16-17页 |
1.4.2 Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
1.4.3 交换关联泛函 | 第18-19页 |
1.5 本文的研究内容及研究意义 | 第19-20页 |
参考文献 | 第20-25页 |
第二章 InNbO_4半导体的本征缺陷及表面吸附甲醛的研究 | 第25-65页 |
2.1 引言 | 第25-27页 |
2.2 实验方法及计算参数 | 第27-29页 |
2.2.1 实验试剂 | 第27页 |
2.2.2 实验仪器 | 第27-28页 |
2.2.3 纯相InNbO_4的合成 | 第28页 |
2.2.4 计算细节 | 第28-29页 |
2.3 纯相InNbO_4的物相表征及电子结构 | 第29-35页 |
2.3.1 物相表征 | 第29-31页 |
2.3.2 InNbO_4晶体及电子结构 | 第31-35页 |
2.4 InNbO_4的本征缺陷 | 第35-44页 |
2.4.1 空位缺陷位于O_1位置的研究 | 第35-38页 |
2.4.2 空位缺陷位于O_2位置的研究 | 第38-40页 |
2.4.3 间隙位添加In原子的研究 | 第40-42页 |
2.4.4 结果对比讨论 | 第42-44页 |
2.5 InNbO_4的表面及甲醛分子吸附研究 | 第44-62页 |
2.5.1 InNbO_4表面模型的建立和优化 | 第45-48页 |
2.5.2 InNbO_4表面吸附甲醛分子 | 第48-62页 |
2.6 本章小结 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-65页 |
第三章 Fe、La掺杂InNbO_4半导体的电子及光学性质影响 | 第65-82页 |
3.1 引言 | 第65-66页 |
3.2 计算参数和模型 | 第66-67页 |
3.3 讨论与结果 | 第67-78页 |
3.3.1 Fe掺杂InNbO_4的位点选择和电子结构 | 第67-70页 |
3.3.2 La掺杂InNbO_4的位点选择和电子结构 | 第70-73页 |
3.3.3 Fe、La共掺杂InNbO_4的位点选择和电子结构 | 第73-76页 |
3.3.4 带电势和氧化还原能力的评价 | 第76-78页 |
3.4 本章小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-82页 |
第四章 过渡态元素掺杂InTaO_4的研究 | 第82-109页 |
4.1 引言 | 第82-83页 |
4.2 实验方法及计算参数 | 第83页 |
4.3 分析与结果 | 第83-105页 |
4.3.1 InTaO_4的晶体及电子结构 | 第83-87页 |
4.3.2 过渡态元素Sc掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第87-89页 |
4.3.3 过渡态元素Ti掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第89-90页 |
4.3.4 过渡态元素V掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第90-92页 |
4.3.5 过渡态元素Cr掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第92-94页 |
4.3.6 过渡态元素Mn掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第94-96页 |
4.3.7 过渡态元素Fe掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第96-97页 |
4.3.8 过渡态元素Co掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第97-99页 |
4.3.9 过渡态元素Ni掺杂InTaO_4的晶体及电子结构 | 第99-101页 |
4.3.10 结果对比讨论 | 第101-105页 |
4.4 本章小结 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-109页 |
第五章 非计量Na/Ta比的 NaTaO_3中Eu~(3+)离子选择性掺杂及其光催化氧化还原能力研究 | 第109-121页 |
5.1 引言 | 第109-110页 |
5.2 模拟计算实验方法及细节 | 第110-111页 |
5.3 计算结果与讨论 | 第111-117页 |
5.4 本章小结 | 第117-118页 |
参考文献 | 第118-121页 |
第六章 总结与展望 | 第121-123页 |
攻读硕士期间发表的学术论文 | 第123-124页 |
致谢 | 第124页 |