半导体和碳单层纳米结构中的电子输运和光吸收
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第11-47页 |
第一节 引言 | 第11页 |
第二节 半导体量子点的制备及性质 | 第11-18页 |
2.1 半导体量子点的实验制备 | 第11-13页 |
2.2 半导体量子点的基本性质 | 第13-16页 |
2.3 半导体量子点中的自旋输运 | 第16-18页 |
第三节 碳单层量子点和条带的制备及性质 | 第18-33页 |
3.1 碳单层基本性质及其弹性应变理论 | 第18-25页 |
3.2 碳单层量子点的制备及其基本性质 | 第25-29页 |
3.3 基于碳单层条带的谷过滤器和谷阀 | 第29-31页 |
3.4 谷极化的实验测量 | 第31-33页 |
第四节 理论途径和计算方法 | 第33-40页 |
4.1 主方程理论 | 第33-35页 |
4.2 跃迁定则的群论分析 | 第35-38页 |
4.3 Floquet理论 | 第38-40页 |
参考文献 | 第40-47页 |
第二章 温度偏压驱动的量子点晶体管中的自旋输运 | 第47-57页 |
第一节 研究背景 | 第47-48页 |
第二节 模型和方法 | 第48-50页 |
第三节 结果和讨论 | 第50-54页 |
3.1 热整流效应 | 第50-53页 |
3.2 自旋阀效应 | 第53-54页 |
第四节 小结 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-57页 |
第三章 热驱动的单极型和双极型双量子点自旋整流管 | 第57-73页 |
第一节 研究背景 | 第57-58页 |
第二节 模型和方法 | 第58-61页 |
第三节 结果和讨论 | 第61-68页 |
3.1 温度偏压驱动的单极型自旋整流管 | 第61-63页 |
3.2 门电压调节的单极型自旋整流管 | 第63-65页 |
3.3 磁场控制的纯自旋流 | 第65-67页 |
3.4 基于两个双量子点的双极型自旋整流管 | 第67-68页 |
3.5 单极型和双极型自旋整流管可能的应用 | 第68页 |
第四节 小结 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
第四章 碳单层量子点的应变传感和远红外吸收 | 第73-91页 |
第一节 研究背景 | 第73-74页 |
第二节 模型和公式 | 第74-76页 |
第三节 群论分析和物理应用 | 第76-86页 |
3.1 能谱及其与对称性的关系 | 第76-80页 |
3.2 应变传感器 | 第80-85页 |
3.3 远红外吸收 | 第85-86页 |
第四节 小结 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-91页 |
第五章 应变和极化光联合调制的碳单层谷极化器 | 第91-107页 |
第一节 研究背景 | 第91-92页 |
第二节 模型和公式 | 第92-96页 |
第三节 结果和讨论 | 第96-103页 |
3.1 只有应变或者线极化光存在 | 第96-97页 |
3.2 应变和线极化光共存 | 第97-103页 |
3.2.1 小的光强与频率平方比 | 第97-100页 |
3.2.2 大的光强与频率平方比 | 第100-102页 |
3.2.3 谷极化的探测 | 第102-103页 |
第四节 小结 | 第103页 |
参考文献 | 第103-107页 |
第六章 总结和展望 | 第107-109页 |
发表论文和参加学术会议情况 | 第109-111页 |
致谢 | 第111-112页 |