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半导体和碳单层纳米结构中的电子输运和光吸收

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第11-47页
    第一节 引言第11页
    第二节 半导体量子点的制备及性质第11-18页
        2.1 半导体量子点的实验制备第11-13页
        2.2 半导体量子点的基本性质第13-16页
        2.3 半导体量子点中的自旋输运第16-18页
    第三节 碳单层量子点和条带的制备及性质第18-33页
        3.1 碳单层基本性质及其弹性应变理论第18-25页
        3.2 碳单层量子点的制备及其基本性质第25-29页
        3.3 基于碳单层条带的谷过滤器和谷阀第29-31页
        3.4 谷极化的实验测量第31-33页
    第四节 理论途径和计算方法第33-40页
        4.1 主方程理论第33-35页
        4.2 跃迁定则的群论分析第35-38页
        4.3 Floquet理论第38-40页
    参考文献第40-47页
第二章 温度偏压驱动的量子点晶体管中的自旋输运第47-57页
    第一节 研究背景第47-48页
    第二节 模型和方法第48-50页
    第三节 结果和讨论第50-54页
        3.1 热整流效应第50-53页
        3.2 自旋阀效应第53-54页
    第四节 小结第54-55页
    参考文献第55-57页
第三章 热驱动的单极型和双极型双量子点自旋整流管第57-73页
    第一节 研究背景第57-58页
    第二节 模型和方法第58-61页
    第三节 结果和讨论第61-68页
        3.1 温度偏压驱动的单极型自旋整流管第61-63页
        3.2 门电压调节的单极型自旋整流管第63-65页
        3.3 磁场控制的纯自旋流第65-67页
        3.4 基于两个双量子点的双极型自旋整流管第67-68页
        3.5 单极型和双极型自旋整流管可能的应用第68页
    第四节 小结第68-69页
    参考文献第69-73页
第四章 碳单层量子点的应变传感和远红外吸收第73-91页
    第一节 研究背景第73-74页
    第二节 模型和公式第74-76页
    第三节 群论分析和物理应用第76-86页
        3.1 能谱及其与对称性的关系第76-80页
        3.2 应变传感器第80-85页
        3.3 远红外吸收第85-86页
    第四节 小结第86-87页
    参考文献第87-91页
第五章 应变和极化光联合调制的碳单层谷极化器第91-107页
    第一节 研究背景第91-92页
    第二节 模型和公式第92-96页
    第三节 结果和讨论第96-103页
        3.1 只有应变或者线极化光存在第96-97页
        3.2 应变和线极化光共存第97-103页
            3.2.1 小的光强与频率平方比第97-100页
            3.2.2 大的光强与频率平方比第100-102页
            3.2.3 谷极化的探测第102-103页
    第四节 小结第103页
    参考文献第103-107页
第六章 总结和展望第107-109页
发表论文和参加学术会议情况第109-111页
致谢第111-112页

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