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基于纳米结构的太阳能电池的研究

致谢第5-7页
摘要第7-9页
Abstract第9-10页
1.绪论第14-34页
    1.1 引言第14-15页
    1.2 太阳能电池发展简介第15-17页
    1.3 太阳能电池的工作原理第17-19页
    1.4 太阳能电池的材料第19-24页
        1.4.1 Si材料太阳能电池第20-21页
        1.4.2 Ⅲ-Ⅴ族材料太阳能电池第21-23页
        1.4.3 其它材料太阳能电池第23-24页
    1.5 纳米线太阳能电池第24-27页
    1.6 聚光叠层太阳能电池第27-29页
    1.7 本文主要内容及创新点第29-34页
        1.7.1 论文主要内容第29-31页
        1.7.2 论文主要创新点第31-34页
2.纳米结构太阳能电池的基本理论与数值模拟方法第34-50页
    2.1 引言第34页
    2.2 径向pn结纳米线太阳能电池的物理学原理第34-39页
        2.2.1 太阳能电池物理学的基本方程第34-36页
        2.2.2 径向pn结纳米线太阳能电池物理学模型第36-39页
    2.3 纳米结构太阳能电池光学特性的数值模拟第39-47页
        2.3.1 引言第39-40页
        2.3.2 有限元方法简介第40-44页
        2.3.3 有限元法的基本步骤第44-46页
        2.3.4 利用有限元方法求解赫姆霍兹方程第46-47页
    2.4 本章小结第47-50页
3.Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳能电池的设计与制作第50-88页
    3.1 引言第50-52页
    3.2 纳米线制作过程的发展第52-54页
    3.3 金属催化剂VLS方法制作纳米线第54-57页
    3.4 同质结纳米线太阳能电池的光学模拟第57-69页
        3.4.1 引言第58页
        3.4.2 实验细节第58-59页
        3.4.3 模型细节第59-62页
        3.4.4 计算结果与分析第62-69页
    3.5 异质结纳米线太阳能电池的光学模拟第69-76页
        3.5.1 引言第69-70页
        3.5.2 模型细节第70-71页
        3.5.3 计算结果与分析第71-75页
        3.5.4 总结第75-76页
    3.6 GaAs纳米线的制作工艺第76-85页
        3.6.1 引言第76页
        3.6.2 GaAs材料的准备第76-77页
        3.6.3 电子束曝光第77-79页
        3.6.4 ICP刻蚀SiO_2掩膜第79-83页
        3.6.5 ICP刻蚀GaAs第83-85页
    3.7 本章小结第85-88页
4.纳米结构菲涅尔透镜的设计与制作第88-120页
    4.1 引言第88-89页
    4.2 纳米结构菲涅尔透镜的设计第89-95页
        4.2.1 Spire Ⅲ-Ⅴ族叠层太阳能电池简介第89-91页
        4.2.2 纳米结构菲涅尔透镜的设计第91-95页
    4.3 纳米结构菲涅尔透镜阵列的光学特性第95-104页
        4.3.1 模型细节第95-97页
        4.3.2 计算结果与分析第97-104页
    4.4 菲涅尔透镜的制作工艺第104-113页
        4.4.1 引言第104-105页
        4.4.2 Spire太阳能电池的准备第105页
        4.4.3 电子束曝光第105-107页
        4.4.4 ICP刻蚀GaAs第107-111页
        4.4.5 ITO透明电极的制作第111-113页
    4.5 实验结果测试第113-118页
        4.5.1 I-V曲线测试原理第113-116页
        4.5.2 实际样品I-V曲线测试第116-118页
    4.6 本章小结第118-120页
5.总结与展望第120-122页
    5.1 总结第120-121页
    5.2 展望第121-122页
6.参考文献第122-132页
作者简介第132页

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