| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 发展动态 | 第11-14页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT物理机理 | 第15-22页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT的物理机理 | 第15-18页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT的极化效应 | 第15-17页 |
| 2.1.2 二维电子气工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 高电子迁移率器件热效应 | 第18页 |
| 2.3 功率晶体管的主要参数指标 | 第18-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 功率放大器原理 | 第22-48页 |
| 3.1“经典”功率放大器的原理与设计 | 第22-27页 |
| 3.1.1 A类功率放大器 | 第22-23页 |
| 3.1.2 B类、C类和AB类功率放大器 | 第23-27页 |
| 3.2 开关模式功率放大器 | 第27-47页 |
| 3.2.1 并联电容型E类功率放大器 | 第28-38页 |
| 3.2.2 F类功率放大器 | 第38-45页 |
| 3.2.3 逆F类功率放大器 | 第45-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 E类功率放大器设计 | 第48-62页 |
| 4.1 直流特性分析 | 第48-49页 |
| 4.2 负载牵引与源牵引 | 第49-51页 |
| 4.3 匹配网络设计 | 第51-52页 |
| 4.4 谐波平衡分析 | 第52-54页 |
| 4.5 基片与腔体设计 | 第54页 |
| 4.6 测试与分析 | 第54-61页 |
| 4.7 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 AB/逆F多模式功率放大器设计 | 第62-75页 |
| 5.1 直流特性分析 | 第62-63页 |
| 5.2 负载牵引与匹配网络设计 | 第63-67页 |
| 5.3 谐波平衡分析 | 第67-68页 |
| 5.4 基片与腔体设计 | 第68-69页 |
| 5.5 测试与分析 | 第69-74页 |
| 5.7 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第83-84页 |